03微电子工艺基础污染控制和芯片制造基本工艺终稿.ppt

第3章 污染控制、芯片制造基  本工艺概述 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * 3、工艺用水 （3）工艺用水的获得 ① 反渗透（RO）和离子交换系统 去除离子（盐分、矿物） 在制造区域的许多地方都监测工艺用水的电阻，在VLSI制造中，工艺水的目标与规格是18兆欧姆，但其他一些制造厂也使用15兆欧姆的工艺水。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * * 3、工艺用水 （3）工艺用水的获得 ② 固态杂质（颗粒）通过沙石过滤器、泥土过滤器与次微米级薄膜从水中去除。 ③ 细菌和真菌可由消毒器去除。这种消毒器使用紫外线杀菌，并通过水流中的过滤器滤除。 ④ 有机污染物（植物与排泄物）可通过碳类过滤器去除。 ⑤ 溶解的氧气与二氧化碳可用碳酸去除剂和真空消除毒剂去除。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * 3、工艺用水 （3）工艺用水的获得 在系统中存贮的水用氮气覆盖以防止二氧化碳溶于水中，水中的二氧化碳会干扰电阻值的测量引起错误读数。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 1、洁净室要素 2、人员产生的污染（**） 3、工艺用水（**） 4、工艺化学品 5、化学气体 6、设备 7、洁净室的物质和供给 * 4、工艺化学品（液体） （1）工艺化学品的级别 一般溶剂、化学试剂、电子级、半导体级 （3）要求 其纯度由成分来表示 在制造工厂中，用于刻蚀和清洗晶圆和设备的酸、碱、溶剂必需是最高纯度的。 化学品的主要污染是移动的金属离子，通常须限制为百万分之一（PPM）级或更低。 （2）工艺化学品的污染 涉及的污染物有金属离子微粒和其它化学品。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 1、洁净室要素 2、人员产生的污染（****） 3、工艺用水（****） 4、工艺化学品 5、化学气体 6、设备 7、洁净室的物质和供给 * 5、化学气体 （1）化学气体的必要性 除了许多湿（液体）化学品工艺制程，半导体晶圆还要 使用许多气体来加工。这些气体有从空气中分离出来的 如氧气、氮气和氢气，还有特制的气体如砷烷和四氯化碳。 ①纯度（使用成分数） ②水汽含量（当有氧气和水分存在时很容易氧化，上限3-5ppm） ③微粒 ④金属离子 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 （2）气体质量的4项指标 * 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 1、洁净室要素 2、人员产生的污染（**） 3、工艺用水（**） 4、工艺化学品 5、化学气体 6、设备 7、洁净室的物质和供给 * 6、设备 到二十世纪九十年代为止，设备引发的微粒升至所有污染源的75%至90%，但这并不意味机械设备变得越来越脏。由于对空气、化学品与生产人员污染的控制越来越先进，使得设备变为污染控制的焦点。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 二、洁净室的建设 * 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 一、芯片制造中的污染源 二、洁净室的建设 三、硅片清洗（*****） 四、芯片制造基本工艺概述 五、工艺良品率 * 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 三、硅片清洗 1、概述 2、清洗工艺设计 3、清洗策略 4、其它清洗方式 5、硅片烘干 * 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 1、概述 A 颗粒 B 有机残余物 C 无机残余物 D 需要去除的氧化层 （2） 硅片表面的污染物类型 （1） 简介 洁净的晶片是芯片生产全过程中的基本要求，但并不是在每个高温下的操作前都必须进行。一般说来，全部工艺过程中的高达20%的步骤为晶片清洗。 三、硅片清洗 * 1、概述 （3） 硅片清洗的前提要求 通常来说，一个晶片清洗的工艺或一系列的工艺，必须在去除晶片表面全部污染物（上述类型）的同时，不会刻蚀或损害晶片表面。它在生产配制上是安全的、经济的，是为业内可接受的。 第3章 污染控制、芯片制造基本工艺概述 三、硅片清洗 * 1、概述 2、清洗工艺设计 3、清洗策略 4、其它清洗方式 5、硅片烘干 第3章 污染控制、芯片制造基本