3.2双极型半导体晶体管终稿.ppt

第3章 双极型晶体管及其基本放大电路 a. 集电结反向饱和电流ICBO 反向击穿电压 反向击穿电压表示晶体管电极间承受反向电压的能力。 3.2.7 晶体管的型号及封装 国家标准对半导体三极管的命名如下: 3 D G 110 B 有两种载流子参与导电 本质是一种电流控制电流源器件（CCCS） 半导体三极管、晶体三极管，简称晶体管 双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor，BJT)； 3.1 引言 仅由一种载流子参与导电 本质是一种电压控制电流源器件（VCCS） 场效应管。 晶体管 Transistor 场效应晶体管(Filed Effect Transistor，FET)。 小功率管 中功率管 大功率管 3.2 双极型晶体管 NPN型 PNP型 基极b 发射极e 集电极c 发射结Je 集电结Jc 发射区 基区 集电区 3.2.1 双极型晶体管的结构及类型 3.2.2 晶体管的三种组态 IEN IEP ICBO IE IC IB IBN IE=IEN + IEP 且IEN IEP IC= ICN +ICBO ICN= IEN - IBN IB= IEP + IBN - ICBO 注意：图中画的是载流子的运动方向，空穴流与电流方向相同；电子流与电流方向相反。由此可确定三个电极的电流。 ICN 　　如何保证注入的载流子尽可能地到达集电区？　　 3.2.3 晶体管的电流放大作用 (2) 共发射极直流电流放大系数 ，它描述了晶体管的电流放大作用。 表征集电区收集电子的能力。 (1) 共基极直流电流放大系数 晶体管的共射 输入特性曲线 iB=f(uBE)? uCE=const ① ② ③ 晶体管的共射 输出特性曲线 A B iC=f(uCE)? iB=const （1）直流电流放大系数 1. 直流参数 晶体管的参数 b. 穿透电流ICEO ICEO和ICBO有如下关系: ICEO=（1+ ）ICBO （2）极间反向电流 2. 交流参数 （1）交流电流放大系数 （2）特征频率fT （3）共射截至频率f? （4）共基截至频率f? 3. 极限参数 晶体管击穿电压的测试电路 2. 温度对输入特性曲线的影响 20℃ 50℃ UBE1 UBE2 IB 1. 温度对ICBO的影响 补充：温度对晶体管参数的影响 3. 温度对输出特性曲线的影响 ＞ 温度对输出特性的影响 第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管 第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管 用字母表示材料 用字母表示器件的种类 用数字表示同种器件型号的序号 用字母表示同一型号中的不同规格 三极管 1. 晶体管的型号 小、中功率晶体管图片(金属圆壳封装) 小、中功率晶体管图片(塑封) 大功率晶体管图片 考虑到NPN管的uBE为正值；PNP管的uBE为负值， 兰色的曲线和文字对应20℃；红色的曲线和文字对应50℃。