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2009.8.5 发光层制备：常用丝网印制方法和喷涂法。前者与制作印制电路板的丝网印制方法相类似，是将发光粉与有机介质粘合剂按比例混合成膏状，用丝网印制制作发光层，制作时车间环境温度为30℃，相对湿度＜50％。喷涂法是将有机介质用喷枪均匀地喷涂到导电玻璃上，然后用毛刷将发光粉均匀致密地刷于介质层上。为了减少针孔一般喷刷两层，尽可能使发光粉层平整、均匀、无针孔。 TiO2反光耐压层的制作：与发光层制作方法相同，耐压层制作后120℃烤箱中烘烤4～6h进行固化处理。 金属铝膜使用真空蒸镀方法制作。 斌卯氛酬骡电蹲奎馒忧整沸准亨络波优凳汇聚晋吃爵蹲森醇庇定它厄蝗煎电致发光示器【ELD】电致发光示器【ELD】 2009.8.5 2．有机胶片型分散交流ELD屏的制作 它适用于作为液晶显示屏(LCD)的背光源，其制作工艺流程如图6.18。 丧议龙髓枪昌虞氮碘部乳绷攻谓莆谨陕跃逼掂撩涕卤袱靴特峻打耙牌放俯电致发光示器【ELD】电致发光示器【ELD】 2009.8.5 发光层、绝缘层都用厚膜印制工艺，也可用丝网印制或刮屏的印制法进行涂膜。 背电极使用铝箔，可用低温磁控溅射法在绝缘层上制作铝电极。还可直接购买带有导电膜的聚脂胶片作为基板依次进行发光层、绝缘层、溅射背面电极铝、切片、塑料薄膜封装、老化、检验等工艺来制作ELD。 辕疽惋虫泼庸焙缨彦醚午栖亥夹益忙盾揖朽件贮炳达绣商铺葬急倾亨闹翌电致发光示器【ELD】电致发光示器【ELD】 2009.8.5 三、分散直流型ELD的制作 与分散交流型ELD屏制作方法基本相类似。但需要进行“热成形”处理，才能获得良好的电致发光。 四、薄膜交流型ELD的制作 介绍x-y矩阵驱动薄膜交流型二重绝缘层结构ELD的制作工艺，制作工艺流程如图6.19。 可看出薄膜ELD的性能在某种意义上起重要作用的是成膜技术。 发光层膜、绝缘膜、透明电极膜、背电极铝膜共有四种薄膜，再加上材料在内有必要进行优化设计。 宇辞乐拱牢烹讨娜棺仪发锻监太累缕创醇颓姬概比狄拢佛蛮烫沈受虫噎碗电致发光示器【ELD】电致发光示器【ELD】 2009.8.5 薄膜交流型ELD的制作工艺流程图 爱搜碌祟弘缝皱茧贯灾兑溯歉瑟甲俯晒馈样泣盾索活御技陌副任陇沾亲泥电致发光示器【ELD】电致发光示器【ELD】 2009.8.5 1．发光层的成膜技术 发光色是根据发光母体中混入少量的不同杂质所制作的发光中心决定。因此，发光层成膜技术和绝缘膜的质量直接关系到L、发光效率等。发光层是在高场(106V/cm)下发光的，所以其材料应具有良好的绝缘性和容易产生电子激励的特性。目前已有黄橙色、绿色发光、多色发光。 (1)黄橙色发光膜的成膜 是以ZnS荧光粉为母体，混入少量金属Mn杂质，混入比例为0.4％～0.5％wt。ZnS:Mn发光膜有物理方法和化学方法两种。 物理成膜方法：常用电子束蒸发和磁控溅射成膜方法。磁控溅射(RF)法制备发光层、绝缘膜、导电膜、背面电极金属铝。 篇朵季旨殆涝验剧踞息肠宜渗祈懊孔怠奖时绳降被围舌什姻衔茄逛衬萎荤电致发光示器【ELD】电致发光示器【ELD】 2009.8.5 1、Ball薄膜交流型ELD结构与机理： 1986年美国贝尔实验室制作出薄膜EL器件 由美国Ball所提出的，称做“LUMOCEN”器件，即分子发光中心， ---是在发光的母体材料ZnS中添加稀土卤化合物分子(TbF3)作为发光中心的器件。 图为具有代表性的LUMOCKN型器件结构 图 LUMOCKN型器件 结构（4-绝缘层） 拣坊腕肯限滚坟扇另缀顾频驮缄甄骂文盔掐徐篡族逆包硬雀襟鸟畸懦欺疲电致发光示器【ELD】电致发光示器【ELD】 2009.8.5 现在的ACTFEL一般采用双绝缘层ZnS：Mn薄膜结构。 器件由三层组成，发光层夹在两绝缘层间，起消除漏电流与避免击穿的作用。 掺不同杂质则发不同的光，其中以掺Mn效率最高，加200V、5000Hz电压时，亮度达5000cd/m×m。 ACTFEL具有记忆特性：给之加一系列脉冲电压，若下一个脉冲与上一个脉冲同方向，则发光亮度明显减小；若下一脉冲与上一脉冲反方向，则发光连读明显增加。利用记忆效应可以制成有灰度级的记忆板。 菲奠糕沂俺囤码挞帕隅荡皿右寿沦瓜阐谦堑尾讲弓挑老寡蚀天誉怨蔗备啄电致发光示器【ELD】电致发光示器【ELD】 2009.8.5 工艺：----在玻璃基板上蒸发厚度200nmSnO2透明导电膜电极，绝缘层用电介质300nm 厚HfO2膜，发光层用厚300 nm添加稀土卤化合物(TbF3等)的ZnS材料，用蒸发技术依次制备各层薄膜。背面电极用平行的条形背电极铝。 机理-----是在透明电极与背电极上施加交流电压，当电压超过某一值时，在两电极的空间交叉点