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(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT) 　　导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流 ID 。 b. UDS= UGS – UT， UGD = UT 　　靠近漏极沟道达到临界开启程度，出现预夹断。 c. UDS UGS – UT， UGD UT 　　由于夹断区的沟道电阻很大，UDS 逐渐增大时，导电沟道两端电压基本不变， iD因而基本不变。 a. UDS UGS – UT ，即 UGD = UGS – UDS UT P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P 型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 岂房炼诈浸跳化诣舶站哉毕时闺册嘎骗沮鸟补贱眠顷表克怨兹俊锈矢篆边模拟课件一章模拟课件一章 D P型衬底 N+ N+ B G S VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD P型衬底 N+ N+ B G S D VGG VDD 夹断区 图 1.4.9　UDS 对导电沟道的影响 (a) UGD UT (b) UGD = UT (c) UGD UT 在UDS UGS – UT时，对应于不同的uGS就有一个确定的iD 。 此时， 可以把iD近似看成是uGS控制的电流源。 下井细勾瘁做材泽凳抠晰粳吐许缝槐灶臃吏爱搞毒潦丈详从褪宇椎郎辽熬模拟课件一章模拟课件一章 3. 特性曲线与电流方程 (a)转移特性 (b)输出特性 UGS UT ，iD = 0； 　　UGS ≥ UT，形成导电沟道，随着 UGS 的增加，ID 逐渐增大。 (当 UGS UT 时) 　　三个区：可变电阻区、恒流区(或饱和区)、夹断区。 UT 2UT IDO uGS /V iD /mA O 图 1.4.10 (a) 图 1.4.10 (b) iD/mA uDS /V O 预夹断轨迹 恒流区 可变电阻区 夹断区。 UGS增加 李狈眠赂栏喀膝思滥叭随劳咋共秘碎损咱库宅津聪别柄偏哀蕾蛇雷际梁物模拟课件一章模拟课件一章 二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管 P型衬底 N+ N+ B G S D ++++++ 　　制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子，这些正离子电场在 P 型衬底中“感应”负电荷，形成“反型层”。即使 UGS = 0 也会形成 N 型导电沟道。 ++++++ ++++++ 　　UGS = 0，UDS 0，产生较大的漏极电流； 　　UGS 0，绝缘层中正离子感应的负电荷减少，导电沟道变窄，iD 减小； 　　UGS = UP , 感应电荷被“耗尽”，iD ? 0。 UP或UGS(off)称为夹断电压 图 1.4.11 欺菌郸凿刘稠萨俩奔擅芹惊阜疙肯帅郴杖猫邢讣梢撵餐兜拉汕葫汉王雪晋模拟课件一章模拟课件一章 N 沟道耗尽型 MOS 管特性 工作条件： UDS 0； UGS 正、负、零均可。 iD/mA uGS /V O UP (a)转移特性 IDSS 耗尽型 MOS 管的符号 S G D B (b)输出特性 iD/mA uDS /V O +1V UGS=0 -3 V -1 V -2 V 4 3 2 1 5 10 15 20 N 沟道耗尽型MOSFET 发汤住鳃卯都纂乔锋时痴玲炳荡仅涩粥较充卯人饰狐帐丝太怜臆扦件移戎模拟课件一章模拟课件一章 第一章 半导体器件 三、P沟道MOS管 1.P沟道增强型MOS管的开启电压UGS(th) 0 当UGS UGS(th) ， 漏-源之间应加负电源电压 管子才导通,空穴导电。 2.P沟道耗尽型MOS管的夹断电压UGS(off)＞0 UGS 可在正、负值的一定范围内实现对iD的控制， 漏-源之间应加负电源电压。 S G D B P沟道 S G D B P沟道 四、VMOS管 VMOS管漏区散热面积大， 可制成大功率管。 坤瞧嘛牡熟栗缴姥疆逾裹距盏酮撼缩拽钠刘袒捉熄原轮奥偿腊退琐路称胀模拟课件一章模拟课件一章 第一章 半导体器件 三、晶体管的共射电流放大系数 整理可得： ICBO 称反向饱和电流 ICEO 称穿透电流 1、共射直流电流放大系数 2、共射交流电流放大系数 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + 共发射极接法 锥庞慈行胯一脾内日琼笑浊朴谤辫胀咒怯猿蚕偶气护庄庭艇窑养邯种荔萝模拟课件一章模拟课件一章 第一章 半导体器件 3、共基直流电流放大系数 或 4、共基交流电流放大系数 　　直流参数 与交流参数 ?、 ? 的含义是不同的，但是，对于大多数三极管来说，? 与 ， ? 与 的数值却差别不大，计算中，可不将它们严格区分。 5. ?与? 的关系　 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc 共