第1章 用半导体器件.ppt

模拟电子技术基础 一、电子技术的用途及发展 电子技术的用途 电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 1. 信号：是反映消息的物理量 电子信息系统的组成 三、“模拟电子技术基础”课程的特点 四、课程“难学”原因分析 (1) 客观的讲，该课程所谓难并不是难在十分抽象、深奥、晦涩难懂，以至于苦思冥想、花尽力气也不知所云。而是信息量大，表现在概念多、器件及电路结构、构成繁杂，分析方法及角度不尽相同。往往无所适从，抓不住重点，掌握不好正确分析方法。 五、如何学习这门课程 六、课程的目的 1.掌握基本概念、基本电路、基本分析方法和基本实验技能。 2.具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，以及将所学知识用于本专业的能力。 七、考查方法 1. 会看：定性分析 2. 会算：定量计算 第一章 常用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.1.3 PN 结 1.2 半导体二极管 从二极管的伏安特性可以反映出：  1. 单向导电性  若 3. 二极管或门电路 1.2.5 稳压二极管 1.3 双极型晶体管 (BJT) 1.3.2 BJT的放大作用 晶体管的放大原理 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管的影响 1.3.6 光电三极管 第1章 常用半导体器件 1.4 场效应管 特点 1.4 场效应管主要内容 1.4.1 结型场效应管 Junction FET 1.4.4 与晶体管的区别 本章总结 小结 (1)三极管有二个PN结，三个电极，三个区域，这是三极管具有电流放大作用的内部依据。 (2)三极管进行放大时的外部条件：发射结正偏，集电结反偏。 (3)三极管的输出特性曲线有截止区，放大区和饱和区。 (4)温度对三极管的参数有很大影响。 (5)使用三极管时，不能超过其极限参数值。 (6)三极管各极电流的关系为IE=IB+IC，在放大区IC=βIB。 (7)三极管有NPN型PNP型，有硅管和锗管。 犯迟霹尽饼拼丙山抠却嗅炸蚂浸娶洽哑勾倾烹祁乖谁弛疽内斤迪件垫悄浚第1章 用半导体器件第1章 用半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 半导体二极管 1.3 双极型晶体管 1.4 场效应管 1.5 本章小结 空据躺锑差绳僚靠体泉命塔虹淤祈凡链董问御叙菩樊缠软膀位湃夷奎奴捶第1章 用半导体器件第1章 用半导体器件 晶体管在放大区, 由于发射结正偏, 输入电阻较小, 不适于要求高输入阻抗的情况 , 且受温度影响较大(少子作用) 场效应管(Field Effect Transistor)利用电场效应来控制电流, 以半导体中的多子来实现导电 特点: 控制端基本上不需要电流(输入阻抗高), 且受温度, 幅射等外界条件影响小, 便于集成 绝缘栅型场效应管 结型场效应管 场效应管 N沟道型 P沟道型 N沟道(增强型, 耗尽型) P沟道 (增强型, 耗尽型) 伤贫垢苹厌晦啦蝎他足峡涟随耗谗楞途溢琼塘瑰抱最班坪褐疵两芭盼妆各第1章 用半导体器件第1章 用半导体器件 1.4.1 结型场效应管 1.4.2 绝缘栅型场效应管 1.4.3 场效应管的主要参数 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 蛔摘鸡捏恨摩幻俄拓须娠锹艺痛旱睛墨先挣狙闻继遗拜稿推可核自硅冀趣第1章 用半导体器件第1章 用半导体器件 N沟道结型场效应管 N沟道结构示意图 栅极g(gate) 漏极d (drain) 源极s(source) 导电沟道 凰挪擎语辜惫沫梦譬仔名栓芽撩守诽匣度杨蓖姻定愧诊崇付绩瓶瓮胶谎遁第1章 用半导体器件第1章 用半导体器件 1. 工作原理 正常工作条件 漏-源电压uDS 0 , 保证电子定向移动形成漏电流 栅-源电压uGS 0 , 通过控制耗尽层宽度,达到控制沟道电流的目的 PN结无载流子, 不导电, 属于高阻区 当漏-源电压uDS 一定时, 漏电流: 漏电流 沟道电阻 沟道截面积 耗尽层宽度 uGS 实质: 利用反向偏置的PN结调节沟道电阻, 从而控制漏极电流 粗枚吱慑毖酥胸暑口圾葵躲宛擅玛妨鸵纂配隐次冯傀疟涎俞狗涵狸默梁汉第1章 用半导体器件第1章 用半导体器件 1. 工作原理 漏-源电压uDS 与栅-源电压uGS 对漏电流的影响: a. uDS = 0时, uGS 对导电沟道的的控制作用 | uGS | ? 耗尽层增加 耗尽层闭合,此时电压称为夹断电压UGS(off) uGS=0 uGS ≤ uGS(off) uGS(off) uGS 0 嚼谢蕊贿图婿下煎纪弃酉葱吼犁告祁滚娄陡汽傅柱懒睛麻喧探攫咕拌涝漫第1章 用半导体器件第1章 用半导体器件 b. uGS ?