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NAND FLASH 烧录说明(D2800) （中文版REV1.00） 本文档是引导客户如何正确使用D2800系列编程器烧录NAND Flash,可以满足客户在研发和生产中遇到的NAND Flash烧录的一般需求。 本文档版权归苏州诺动力电子科技有限公司( SuZhou Nowotek Electronic Co., Ltd.)所有，受《中华人民共和国著作权法》保护。 由于本文档编写人员的水平和对技术细节理解上的主观原因，本文档难免会出现的错误和不妥之处，恳请客户以及经销商、代理商提出修改意见。 第一章 关于D2800系列 D2800系列是诺动力出品的新一代USB接口独立式智能极速通用编程器，具有编程速度快，烧录稳定，软件集成度高，更智能化的特点。是NAND Flash用户理想的选择。 D2800除了支持算法集成的三个坏块处理方法外，还可以为客户选择定制其他的烧录方法(比如三星平台，高通平台，博通平台， WinCE 烧录等)。算法本生支持ecc512B(Hamming Code),并且支持生成的ecc码在spare区任意连续地址map。算法本生还支持NAND Boot区的只读属性处理，一般表现为Bad block Mark前的OEMReserved的处理。 D2800烧录每1Gbit仅需125秒，部分芯片时间甚至小于60秒。其中烧录过程包括Erase + Program + Verify. 第二章 关于NAND Flash NAND FLASH是一种易失的闪存技术，被广泛使用于U盘，MP3/MP4,GPS,PDA,GSM/3G手机，无线上网设备，笔记本等多个领域。NAND是高数据存储密度的理想解决方案。 和NOR FLASH相比。NAND FLASH具有以下的特点：1) NAND FLASH同NOR FLASH相比，NAND FLASH有着容量大、价格低等优势。2)存在坏块。由于NAND生产工艺的原因，出厂芯片中会随机出现坏块。坏块在出厂时已经被初始化，并在特殊区域中标记为不可用，在使用过程中如果出现坏块，也需要进行标记。3) 易出现位反转。NAND FLASH更易出现位反转的现象，如果位反转出现在关键文件上，会导致系统挂机。所以在使用NAND FLASH的同时，建议使用ECC/EDC算法确保可靠性。4) 存在Spare区。正因为NAND FLASH有着上面的两项特殊的地方，Spare区就扮演作存放坏块标志，ECC值以及芯片信息和文件信息的作用。5) 多维的空间结构。NAND FLASH一般由block，page，sector等结构组成。所以在有的文件系统中就衍生出各种分区信息和扇区信息等。 第三章 D2800下对NAND FLASH 的坏块处理 NAND FLASH的坏块处理方式有很多，不同的方案公司或者系统提供商都会选择不同的坏块处理方法，来满足产品开发的需要，目前我们公司已经根据客户的要求，解决了近百种的坏块处理方案。并且将常用的三种坏块处理方案，集成到烧录算法里面。 本文档以K9F1208U0B为例，详细阐述了D2800下NAND FLASH的烧录方法。 1.烧录软件概述。 选择好K9F1208U0B后，将出现下图(Figure 1)。 (Figure 1) (Figure 2) 在主软件界面中，提示1列出了NAND烧录拥有的正常操作， 从上到下包括：自动批处理(Auto),编程写入(Program),读出数据(Read),校验(Verify),空检查(Blank_Check),擦除(Erase),启动代码块检查(Boot Block Check)。 其中自动批处理(Auto)必须在提示4(Edit Auto)中设置好才能运行。启动代码块检查(Boot Block Check)在提示2中设置启动代码所占块(Blocks)的范围。 提示2(Dev.Config)是NAND Flash烧录的配置中心，坏块处理方法，ECC,设置烧录范围，启动代码范围等的设置都在这个选项里面。 提示3是烧录软件的信息输出区，算法的有关信息，烧录过程的有关信息和烧录出错信息都在这个区域打印输出。 2．NAND Flash 的坏块和坏块标志。 由于制造工艺的原因，NAND Flash?在生产过程中可能会产生坏块，坏块在出厂前将会被标记。对于坏块而言，存储的信息可能会丢失，不能正常使用。另外在NAND Flash擦除或者编程过程中，出现操作失败后，表示该块不能正常使用，也应标记成坏块。所以在一般情况下，在操作NAND Flash之前，先要检查一下要操作的是否是坏块，以免坏块标记被破坏。此外，为了保证存储信息的可靠性，从NAND Flash中读取的数据还可以引入ECC校验，ECC码一般存放在该页的spare区。关于ECC，详细介绍