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NSR-205i12D-SW-02
NSR-2205i12D 検収試験項目
注:This item is a 6-INCHIRECHIKURU, 22 mm □ respond
The exposure of each item, unless specifically stated leveling the ON done.
No.
項 目
規 格
条 件
1
Resolution
0.35μm LS
Positive resist 膜厚 1.0μm
2
Focus repeatable calibration
3σ≦100nm
20回測定
3
Lens distortion
±40nm 以内
Point shots in 37
4
Magnification control accuracy
±15nm 以内
INITIAL, HEAT 150, COOL 180 Three-point measure
5
The maximum range of exposure
22.0 mm(横) ×25.2 mm(縦)
However φ31.11mm 以内
6
Blind reticle set accuracy
+0.4mm~+0.8mm
Reticle on
7
Power exposure
850mW/cm2以上
Wafer surface during lamp replacement
8
Accumulated exposure control accuracy
1) 50mJ/cm2以上
2)100mJ/cm2
1) ±1.0% 以内
2) ±0.5% 以内
Compatibility, including exposure
9
Lighting uniformity
±1.0% 以内
Exposure limits, 5 times
10
Reticle rotation
|M|+3σ≦20nm
Target Centre RR
11
Superposition accuracy(LSA、FIA、LIA)
1) Centre shot
2) Centre corner shot +4
1) |M|+3σ≦55nm
2) |M|+3σ≦65nm
Superimposed on the image resist
EGA 10 points and the
12
Orthogonal
±0.1秒 以内
After correction software, wafer average of three
13
Stepping accuracy
3σ≦40nm
Two wafer measurement
14
PURIARAIMENTO wafer repeatability
3σ≦15μm
The same wafer, 60 times
X, Y, θ independent assessment
2 PURIARAIMENTO use
No.
項 目
規 格
条 件
15
処理能力
1)LSA
2)FIA
3)LIA
1) 90枚/時以上(150mm)
※98枚/時以上(150mm)
73枚/時以上(200mm)
2) 75枚/時以上(150mm)
59枚/時以上(200mm)
3) 84枚/時以上(150mm)
64枚/時以上(200mm)
EGA (10 points) 2 nd exposure
32 indicated Centre (150 mm) exposure 0.105 seconds
60 indicated Centre (200 mm) exposure 0.105 seconds
3 UEHARODATAIPU
16
動作試験
1) wafer system
2) reticle system
1) 成功率 99%以上
2) 成功率 100%
1)ウェハ 100枚,2nd連続露光
2)全スロット各1回搬送する
17
互換性
±70nm以内(95%以上)
同機種間、理想格子基準
18
合せset leveling surface accuracy
±1.5秒以内
The projection lens surface imaging standards
19
レベリング合せ面再現精度
±1.0秒以内
Measurement, MES to use.
Use of MES: Resist high-resolution resist species 1.20 μ m thick film resist
NSR-2205i12D 検収試験方法?条件
注: 本項目は、6インチレチクル、22mm□ に対応です。
各項目の露光は、特に記述がないかぎりレベリ
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