NSR-205i12D-SW-02.doc

ＮＳＲ－２２０５ｉ１２Ｄ　検収試験項目 注：This item is a 6-INCHIRECHIKURU, 22 mm □ respond The exposure of each item, unless specifically stated leveling the ON done. No. 項　　目 規　　格 条　　件 1 Resolution 　０.３５μm LS Positive resist　膜厚 1.0μm 2 Focus repeatable calibration 　３σ≦１００nm 20回測定 3 Lens distortion 　±４０nm　以内 Point shots in 37 4 Magnification control accuracy 　±１５nm　以内 INITIAL, HEAT 150, COOL 180 Three-point measure 5 The maximum range of exposure 　22.0 mm(横) ×25.2 mm(縦) However　φ31.11mm 以内 6 Blind reticle set accuracy 　＋０.４mm～＋０.８mm Reticle on 7 Power exposure 　８５０mW/cm2以上 Wafer surface during lamp replacement 8 Accumulated exposure control accuracy 1)　５０mJ/cm2以上 2)１００mJ/cm2 1)　　±１.０％　以内 2)　　±０.５％　以内 Compatibility, including exposure 9 Lighting uniformity 　±1.０％　以内 Exposure limits, 5 times 10 Reticle rotation 　｜Ｍ｜＋３σ≦２０nm Target Centre RR 11 Superposition accuracy（LSA、FIA、LIA） 1) Centre shot 2) Centre corner shot +4 1)　｜Ｍ｜＋３σ≦５５nm 2)　｜Ｍ｜＋３σ≦６５nm Superimposed on the image resist EGA 10 points and the 12 Orthogonal 　±０.１秒　以内 After correction software, wafer average of three 13 Stepping accuracy 　３σ≦４０nm Two wafer measurement 14 PURIARAIMENTO wafer repeatability 　３σ≦１５μm The same wafer, 60 times X, Y, θ independent assessment 2 PURIARAIMENTO use  No. 項　　目 規　　格 条　　件 15 処理能力 1)ＬＳＡ 2)ＦＩＡ 3)ＬＩＡ 1) ９０枚／時以上(150mm) ※９８枚／時以上(150mm) 　　７３枚／時以上(200mm) 2) ７５枚／時以上(150mm) 　　５９枚／時以上(200mm) 3) ８４枚／時以上(150mm) 　　６４枚／時以上(200mm) EGA (10 points) 2 nd exposure 32 indicated Centre (150 mm) exposure 0.105 seconds 60 indicated Centre (200 mm) exposure 0.105 seconds 3 UEHARODATAIPU 16 動作試験 1) wafer system 2) reticle system 1)　成功率　　９９％以上　 2)　成功率　１００％ 1)ウェハ 100枚,2nd連続露光 2)全スロット各１回搬送する 17 互換性 　±７０nm以内（９５％以上） 同機種間、理想格子基準 18 合せset leveling surface accuracy 　±１.５秒以内 The projection lens surface imaging standards 19 レベリング合せ面再現精度 　±１.０秒以内 Measurement, MES to use. Use of MES: Resist high-resolution resist species 1.20 μ m thick film resist ＮＳＲ－２２０５ｉ１２Ｄ　検収試験方法?条件 注：　本項目は、６インチレチクル、２２mm□ に対応です。 各項目の露光は、特に記述がないかぎりレベリ