stm3Flash模拟eeprom心得(原创).docVIP

所有文档打包资料CSDN下载地址： HYPERLINK /detail/ddf7d/5077420 /detail/ddf7d/5077420 STM32F10X FLASH模拟EEPROM心得 微博： HYPERLINK /zhoupeng7d /zhoupeng7d 花了几天时间研究stm32用Flash模拟EEPROM的问题，终于彻底弄懂了这种机制，由于我英文很菜，所以官方文档没有仔细看，而是直接去抠官方给出的例子程序，当然这种方法比较笨，但最终效果是一样的。 下面仅将我学习过程中的一些心得体会给大家介绍一下，希望能对需要的人有所帮助，有不足之处望大家积极指正。 首先推荐大家看的文档就是ST的官方文档《AN2594.pdf》 和前辈总结出的《STM32 FLASH 模拟EEPROM使用和优化.pdf》和已经优化过的例程代码《FW_V3.1.0优化(FLASH模拟EEPROM).rar》 下面开始进入主题 为什么要用flash模拟eeprom？ 在许多应用场合下需要用eeprom保存非易失性的数据，但是意法半导体为了控制成本，没有在STM32F10X系列芯片中集成EEPROM，所以我们就需要用其内部集成的FLASH通过软件模拟EEPROM来达到同样的效果。 stm32中的片上FLASH特点 根据《STM32F10X闪存编程》中的介绍，以小容量为例（如下图），我们要使用的是32个1K字节/页的主存储空间，也就是说这段空间里除了保存用户代码的部分，其余部分我们是可以利用其作为数据存储使用的。 stm32的FLASH分为主存储块和信息块。主存储块用于保存具体的程序代码和用户数据，信息块用于负责由stm32出厂是放置2KB的启动程序（Bootloader）并锁死，用户无法更改。选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。 STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区 上图中FLASH一页大小为1KB。范围为从地址0始的32KB内。 对Flash 的写入操作要 “先擦除后写入”的原则； 闪存的读写涉及一个概念，字（Word）32bit和半字（HalfWord）16bit，虽然STM32 FLASH也是由字节组成，但STM32 FLASH的编程每次都是以16bit半字为单位，且FLASH地址必须为偶数，否则会出错。 对AN2594.pdf中模拟EEPROM机制的解释 官方例程中用了2页FLASH空间来作为模拟EEPROM进行数据存储，例如页3（0x08000C00-0x08000FFF）和页4（00x080013FF），分别将其标记为PAGE0和PAGE1，简单流程如下图 按照《使用和优化.pdf》中的解释，如果 0 页空间写满数据，那么把 0 页空间里面的【有效数据】复制到 1 页，如果 1页数据满那么把 1 页空间里面的【有效数据】复制到 0 页，这样循环使用，当然如果你想增加使用寿命可以增加多页循环。每页前面 4 字节保留，其中前 2 字节是该页状态标志。 是的，看到这里我开始感觉到了迷惑，迫切的需要弄清楚这种机制。。。。 官方文档中的这张图说明了虚拟的EEPROM在FLASH中的保存形式，对页进行以4字节为单位的分块，每块的前2字节保存虚拟EEPROM的16bit数据，后两字节保存此数据的16bit虚拟地址，虚拟地址必须为（0x0000-0xFFFE）。 那么先在这里说一下页面的三种状态 ERASED 页面是空的或者刚刚擦除数据，此时整个页面都是0xFFFF RECEIVE_DATA 按照官方解释是，此页面处在接收已满页面的有效数据过程中。一旦另一页面完成擦除（即数据搬运完毕），此页面状态即变成VALID_PAGE。搬运的时候先将最新更新的数据写入，然后再将所有有效数据（除刚刚更新的虚拟地址的数据）写入页面。 状态字：0xEEEE VALID_PAGE 页面含有有效数据，这种状态会一直保持，直到所有有效数据搬运到已擦除的页面(有效数据搬运到新页面)。 状态字：0x0000 1.写数据 前面已经说到每页前4个字节保留，其中前2字节为页面状态字。假设保存的数据虚拟地址是 0x7777，那么程序写数据是从当前有效页页首地址开始查询虚拟地址位置为0xFFFF的空间，如果是 0xFFFF 那么该位置可以保存数据；如果不是，那么继续找下 1 个位置，如果本页无 0XFFFF 的空间那么表示本页已满，那么将本页【有效数据】复制到另外 1 页继续保存数据。 2.读数据 读数据时是从有效页的末尾地址开始检测是否是有效数据，如果是那么立即返回，程序是通过虚拟地址