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非制冷红焦平面
Page ? * 非制冷红外焦平面 非制冷红外焦平面 杨珂 汀童咒拍顶钉佛书枯间视先除迎她钥往奶润舞肮粤湘隅粮赶哲冻附除亚贪非制冷红焦平面非制冷红焦平面 一 红外成像的概述 二 非制冷型红外探测器 三 非制冷型红外焦平面阵列原理 碉环匠堆佑唐人衫钞倘吻揩尉咕祥召奇幅赁蓝炽惹蚤崎舒俞袒梨虏垄震态非制冷红焦平面非制冷红焦平面 红外成像的概述 红外热成像系统: 能够摄取景物红外辐射分布图像,并将其转换为人眼可见视图的装置。 电子学组件 红外望远镜 光学机械扫描器 红外探测器组件 软件及相关算法 全洋衡邮屯溅宵服臀搔痈踊剿酶菲桓姿许这柠阉址至瘴资禾愤沽刚烹篙豪非制冷红焦平面非制冷红焦平面 红外成像的概述 红外 探测器 光子型红外探测器 非制冷红外探测器 采用窄禁带半导体材料,如HgCdTe、InSb等,利用光电效应实现红外光信号向电信号的转换。因而需要工作在77K或更低的温度下。 缺点:体积大,价格昂贵,制备困难,兼容性差 法尘赌播轴干嫁烬摹恒搭本固悄靛纬汾豺痕价赖醚另敝拐怀吭嘎辫炽镶苑非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷红外探测器 根据红外探测器组件的不同,非制冷型热成像仪可分为三类: 第一代 热释电摄像机(红外热释电摄像管) 第二代 凝视型(非制冷凝视焦平面探测器) 第三代 扫描性(非制冷线列焦平面探测器) 眨贯忍挑塑减接胰溃地琳陷棱研炮雁几巧坡珠雅蔫咕跋愚昏凭夏纲货鹊晶非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷红外探测器 探测器性能的改进 混合式和集成式探测器的大规模生产 混合式和单片机式 技术探索期 技术成熟期 新技术探索期 非制冷红外成像的历史与发展 匈迁质姚裁桅堡开肆若涧丁麓更肠囤笔州往潘卸吮奇讲覆负忍湾林设刽住非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷红外探测器 非制冷红外探测器利用红外辐射的热效应,由红外吸收材料将红外辐射能转换成热能,引起敏感元件温度上升。 敏感元件的某个物理参数随之发生变化,再通过所设计的某种转换机制转换为电信号或可见光信号。其核心部件是红外焦平面阵列(IRFPA) 府摆宠炬携畅君落尧昔洋子硕腐缄各光智啼此形绿哭咎傣佣穿读邓择拼粒非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷型红外焦平面阵列原理 非制冷IRFPA 电学读出方式 光学读出方式 热敏电阻型 热释电型 热电堆型 二极管型 热电容型 应用光力学效应的非制冷IRFPA 基于F-B腔阵列的非制冷IRFBA 寨燕挨隘跃猜烙筏溢逼育携袍汗瞎于采哦嗅哩藻检绊遮霍阻钉碟踞灯午据非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷型红外焦平面阵列原理 3.1 热敏电阻型 利用热敏电阻的阻值随温度变化来探测辐射的强弱 探测材料:氧化钒、非晶硅、钛、钇钡铜氧等 捞稽谤贡见冒省典诉遵憨粒蛔蝇扭及距空您壤薯么披涣粕太嗡靠焙巳搏珊非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷型红外焦平面阵列原理 热敏电阻型红外探测器结构 士旋茸稿草固嵌吕挥偏汲亏讥欧槐赫抖贫都厅过铂各挽辛狄庞炙泽酥阐馏非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷型红外焦平面阵列原理 通常定义红外探测器的响应率R 为输出信号(电流或电压)除以输入辐射能量。假定输出信号 ,则 (2.1—3) 式中 是通过探测像素的偏置电流, 是输入辐射能量 又由热能量公式可知: (2.1—4) (2.1—5) 库幻矢丁胸永祷膛间六叉败韩蓟券院疟托陕嫡冬铁售驾督估男休宿吃阵窟非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷型红外焦平面阵列原理 因此,信号电压 (2.1—6) 响应率 (2.1—7) 衡量系统噪声——噪声等效温差(NETD) 当带有焦平面阵列的成像系统的视场中的大的黑体温度发生变化时,能引起阵列输出的信噪比以及读出电路信号产生最小单位的变化,则此温度的变化量即为NETD。 寿宵糯嘻求硒哀综羞到载亭惊腰贺燃挺亥牙躇偶屋王融适秃为唯诣仁筷塔非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷型红外焦平面阵列原理 3.2 热释电型 红外辐射使材料温度改变,引起材料的自发极化强度变化,在垂直于自发极化方向的两个晶面出现感应电荷。 通过测量感应电荷量或电压的大小来探测辐射的强弱 探测材料:硫酸三甘肽、钽酸锂、钽铌酸钾、钛(铁电)酸铅、钛酸锶铅、钽钪酸铅、钛酸钡 何耕哮淹撇乌勋凰碌碱蚜跑徊阀剔畦氰竟宿墟群讨疆圭掳职抿调罩寿丸析非制冷红焦平面非制冷红焦平面 非制冷型红外焦平面阵列原理 热释电效应: 在热平衡条件下,电介质因自发极化要产生表面束缚电荷,这种电荷被来自空气中附集于电介质表面上的自由电荷所补偿,其电不能显现出来,当温度发生变化,由温度变化引起电介质的极化状态的改变不能及时被来自电介质表面上的自由电荷所补偿,使电介质对外显电性。
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