2、金属固态相变基础说课.ppt

本章重点： 1、各种固态相变的归类。 2、固态相变的特点。 3、固态相变驱动力和阻力。 4、固态相变的形核与长大（理解其基本过程和方式，公式不做要求） 1.2金属固态相变热力学 一、相变驱动力 γ→α转变，只有在T ＜ T0 时才能够进行，即过冷。 （问题： α → γ相变在何条件下方可进行？） G T℃ T0 Gα Gγ Gγ→α 0 Gγ→α 0 α γ ∵G=H-TS Gγ→α = Gα - Gγ ＜0 凝聚态各相的自由能变化取决于温度的变化和相成分的变化，因此相变驱动力也随相变温度和相成分的改变而改变 二、相变势垒 要使γ向 α转变能够进行 还必须越过△g的势垒 　　 G 状态Ⅰ 状态Ⅱ Δg γ α Gγ→α ——原子间的引力 获得能量的途径： 热振动的不均匀性使某些原 子获得很高的热振动能量 弹性或塑性变形产生的内应力 强迫某些原子离开平衡位置 多数情况下，势垒大小用晶体原子自扩散系数D表示： 1.2金属固态相变热力学 发生相变的热力学条件： △G＜0 克服△g的势垒 （能量起伏) 满足了热力学条件为相变的发生提供了可能，但相变能否真正发生还需要满足动力学条件。 G 状态Ⅰ 状态Ⅱ Δg γ α Gγ→α 1.3 金属固态相变的形核 固态相变可分为有核转变与无核转变两大类。 有核转变时核的形成又分为扩散形核和无扩散形核 1.3 金属固态相变的形核 有核转变之所以在转变过程中存在形核阶段是因为新相除体积自由能将下降外将有表面能的增加。 最早的扩散形核理论是由Gibbs针对蒸汽的凝聚提出的。Gibbs的形核理论同样也适用于固态相变。 不同的是，固态相变时，除考虑体积自由能的变化△GV及表面能的变化△GS（Aγ）外还需要考虑弹性应变能△GE的变化及缺陷能的变化△Gd对形核的影响。 △Gd=0时，核将均匀形成，称为均匀形核； △Gd0时，核将在能提供△Gd的缺陷处形成，称为非均匀形核 1.3 金属固态相变的形核 一、均匀形核 金属结晶均匀形核 ＞ ＞ 形核自由能变化: 临界晶核半径： 临界形核功: 形核率: 假设晶核为球形 自由能差 界面能 应变能 1.3 金属固态相变的形核 二、非均匀形核 ①界面形核 ②位错形核 ③空位形核 缺陷提供的相变驱动力 固态相变中均匀形核几乎不可能，大多为非均匀形核。 固相中存在着各种晶体缺陷、如晶界、层错、位错、空位 等。如在晶体缺陷处形核，随着核的形成、缺陷将消失， 缺陷的能量将释放以供形核需要，使临界形核功下降。故 核易在缺陷处形成，为不均匀形核。 1.晶界形核 晶界类型：界面、界棱、界隅 晶界形核时的能量变化 提供的能量： 需要的形核功： 界隅形核的最容易，但界隅占的体积分数最小， 数量最多的界面形核的贡献最大，往往形成一侧共格， 一侧非共格关系。 二、非均匀形核 Ⅳ 界面界棱界隅 界隅界棱界面均匀形核 界面：多晶体中两个相邻晶粒的边界。 界棱：多晶体中三个相邻晶粒的共同交界是一条直线。 界隅：多晶体中四个相邻晶粒的共同交于一点。 界棱及界隅形核与界面形核一样，不改变临界半径rC，但使临界形核功下降，其值与θ角有关。 2.位错形核 位错促进形核。 位错线上形核，位错线消失释放弹性应变能，降低形核功。 位错线不消失，依附在新相界面上成为半共格界面中的位错部分，补偿失配，降低形核功。 溶质原子在位错上偏聚，满足新相形核的成分起伏。 元素高速扩散通道，↘Q，加速形核与长大。 可分解成两个不全位错及其相夹的层错，利于新相的形核。 降低新相形成时的应变能，促进形核。 二、非均匀形核 1、位错易于在刃型位错上形核 2、位错柏氏矢量越大，愈易形核 3、晶核易在位错结与位错割阶处形成 4、由于位错的影响，核易于在某些惯析面上形成，这一影响将随△Gv的增大而减小 位错形核规律： 3.空位及空位集团形核 空位及空位集团促进形核。 释放本身能量提供成核驱动力 凝聚成位错 加速扩散过程 （空位扩散机制） 二、非均匀形核 晶核的长大伴随有两个过程：传质过程（满足成分）和界面过程（满足结构）。 传质过程：在新旧相成分不同时，原子必须在旧相内扩散，使相界面附近的成分达到新相的要求，晶核才能长大。 共析转变、脱溶沉淀、贝氏体转变，新旧相成分不同，必须伴随传质过程。 同素异构转变，块状转变，马氏体转变，新旧相成分相同，不需要传质过程。 界面过程：界面附近原子调整位置，从旧相结构点阵转变成新相结构点阵，使晶核长大。（可看作原子的短距离自扩散） 1.4 金属