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第一章 晶体化学 晶体化学是研究晶体结构－组成－性质三者之间关系的学科 二、决定离子晶体结构的基本因素： 1 、离子半径 2 、最紧密堆积原理 三、球体的堆积方式 1 ．等径球体的最紧密堆积 （ 1 ）六方最紧密堆积 （ 2 ）面心立方最密堆积 2 ．不等径球体的密堆积 四、配位数 五、离子的极化 六、结晶化学定律 七、介绍一些重要术语 同质多晶现象：固体的化学组成相同，而在不同条件下形成不同晶体的现象。 多晶转变：同一晶体的不同变体在不同热力学条件下的转变称为多晶转变。 八、典型的晶体结构类型 典型的无机化合物晶体结构类型： AX 型晶体、 AX2 型晶体、 A2X3 型晶体、 ABO3 型晶体、 AB2O4 型晶体。 九、离子晶体结构的几个规则—鲍林规则：五个规则 十、硅酸盐晶体结构 1 、硅酸盐晶体结构特点 2 、硅酸盐矿物结构分类 （ 1 ）岛式结构： （ 2 ）组群状结构 （ 3 ）链状结构 （ 4 ）层状结构 （ 5 ）架状结构 ? 第二章 晶体结构缺陷 晶体结构缺陷按其偏离的程度分为： 1 、点缺陷； 2 、线缺陷； 3 、面线缺陷。 点缺陷：质点偏离所引起晶格周期性的破坏，发生在一个或几个原子间距的线度范围内。 线缺陷：位错。指晶格周期性的破坏发生在晶格内部一条线的周围近邻。 面缺陷：晶界。 二、点缺陷的分类 根据产生缺陷的原因，可把点缺陷分为三类： 1 、热缺陷 （ 1 ）弗伦克尔（ Frenker ）缺陷 （ 2 ）肖特基（ Schottky ）缺陷 2 、杂质缺陷 3 、非化学计量缺陷 三、点缺陷反应表示法 在写缺陷反应方程式时，必须遵守以下的基本原则： 1 、位置关系 2 、质量平衡 3 、电中性 四、热缺陷平衡浓度的计算 1 、物理方法： 用热力学平衡概念及统计力学原理进行计算，为统计热力学方法。 2 、化学方法 将缺陷看成化学物质，浓度看成是化学浓度，服从质量作用定律。 3 、线缺陷（位错） 位错的两种基本类型：棱（刃）位错、螺位错 还存在混合位错 位错的运动：滑移和攀移（爬移）不连续固溶体（有限固溶体）第三章 熔融态和玻璃体 第四章 固体的表面现象 范氏力主要来源于三种不同效应：（ 1 ）发生在极性分子之间的定向作用力（ F K ）。（ 2 ）发生在极性分子与非极性分子之间的诱导作用力（ F D ）。（ 3 ）发生在非极性分子之间的分散作用力（ F L ）。因而范氏力是普遍存在于分子或原子之间的一种力。 离子晶体 MX 在表面力作用下，处于表面层的负离子（ X ）在外侧不饱和，负离子极化率大，通过电子云拉向内侧正离子一方的极化变形来降低表面能。这一过程称为松弛，是瞬间完成的，接着发生离子重排。从晶格点阵稳定性考虑作用较大、极化率小的正离子应处于稳定的晶格位置，而易极化的负离子受诱导极化偶极子排斥而推向外侧，从而形成双电子层。重排结果是晶体表面能量上趋于稳定。 固体的表面能使用晶体中一个原子（离子）移到晶体表面时，自由焓的变化来计算的。 界面化学是研究在相界面发生的各种物理化学过程的一门科学。在弯曲表面上由于表面张力的存在而产生一个附加压力 ?P 。 ?P 与曲率半径成反比。 二、润湿性 改善润湿的方法是：（ 1 ）降低 γ SL 。（ 2 ）去除固体表面吸附膜，提高 γ SV 。（ 3 ）改变粗糙度。当真实接触角 θ90o 粗糙度愈大表观接触角愈小，愈益润湿。当 θ90o 时粗糙度愈大愈不利润湿。第五章 相平衡 一、硅酸盐系统中的组分、相及相律 相——体系中具有相同物理与化学性质的均匀部分的总和称为相。 组元——系统中每一个能单独分离出来并独立存在的化学均匀物质称为物种或组元。 独立组元——决定一个相平衡系统的成分所必需的最少物种（组元）数称为独立组元数。 独立组元数 = 物种数一独立化学平衡关系式数 自由度——在一定范围内可以任意改变而不引起旧相消失或新相产生的独立变数称为自由度。相律数学式为： F ＝ C － P ＋ n 式中 P ——系统平衡时的相数； F ——独立可变数的数目即自由度； C ——独立组元数即组分数； n ——外界因素的独立变量。 如果外界因素只有温度和压力影响时，相律关系式为 F ＝ C － P ＋ 2 ，对于凝聚体系（不 考虑压力）相律为： F ＝ C － P ＋ 1 二、凝聚系统相图测定方法： 1 、淬冷法（静态法） 在高温充分保温的试样迅速掉入淬冷容器，然后用 X 射线、电子显微镜等对试样进行物相鉴定。当试验点足够多，温度与组成间隔小时能获得准确的结果。这是凝聚系统相图测定的主要方法，缺点是工作量相当大。 2 、热分析