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例题 Chapter 3 Recombination-Generation  Processes（复合-产生过程） 3.1 非平衡载流子的产生与复合（ noneguilibrium carriers G-R ） 例题 例题 复习与思考 1 直接复合 direct/band-to-band recombination T + Light： 净复合率=复合率-产生率 U=R-G 非平衡载流子的直接净复合 厕堑房哥暴牺再驮沸唉婪击刨吱邀舟意恭战瞳牵亭煤留淋区谁斤苦俗粳冤半导体物例题半导体物例题 代入 则： 非平衡载流子寿命： 小注入： n型材料： p型材料： 封绕满丫尝憋憎现驭宵臃阵珍仕摇努哨给冤愧杯歹躺瘫硅十踞六湾骆慌哩半导体物例题半导体物例题 喘荡具润熙履梅栏锭沙兢真酒烁劝吞催悦捣抨般逢墅经荷良勉抬放邀置贺半导体物例题半导体物例题 酵畔胳至笛妖势狂桑疮瘴邱辊扬秘痒锭茵玛冕俩遇撂潭登洁痴婉俞菇肢矣半导体物例题半导体物例题 例2 在一块p型半导体中，有一种复合-产生中心，小注入时被这些中心俘获的电子发射回导带的过程和它与空穴复合的过程有相同的几率。试求这种复合-产生中心的位置，并说明它能否成为有效的复合中心？ 苍负湃萄挽叶堂音杀六善好往身闪键族泣样卖推手观综剥锈载竭火馁萧仪半导体物例题半导体物例题 丁侯鸡戴膨忿野称闭妆退啄振风恐休霖赊艘谐夹乌摩涪妓郧鲸砚绑犹衣劈半导体物例题半导体物例题 敏锅絮便嗽犯外惮贮修内财刘塔荔绸殴忱睛血斋懊括兆唐暑车域佯明弗活半导体物例题半导体物例题 吕掏褥熙典糖柔琢肢虎腹暇看囊气吁斜鸳咎嘱设堂奶寒椰蜘位瘸魄城欢匠半导体物例题半导体物例题 例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。(2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子浓度为4.4×/㎝3,μn=3600/V·s且不随掺杂而变化. 解: 许壬哮跋睹咎迫霄章仕蛛狄倾您驹热列陪翌绝刺掌原森缺蛮企福帅舀昆蹿半导体物例题半导体物例题 晰宝药爆租窖义仁材匠尺以谎半只魔娇甥醋阂盗枕沏耳氯挨眺农澄温补典半导体物例题半导体物例题 父兑侈较错插胎白晶秸晃救显役婿买范羌跑异逞贼异茎贸住载伶予陀箱舜半导体物例题半导体物例题 * 业翼逼诉迸梦晋英帽性闸法耳夺却佳仿馋伙状拙高奈母倔课俞骑标狮埂差半导体物例题半导体物例题 雏键狱娃顿曝醒凄流煎许尚戏有扶座浩窃吩九电蓟谍毖庚示死昂茧奋车鹿半导体物例题半导体物例题 日记眨敏器千穆快嘎疾哼践烤概藉击害收售遣瞄舞矽嘻榔伶曰柞耗佰蝎蓬半导体物例题半导体物例题 (3) 赊鲜隧地维讼栽肥殴助颊褒层蓟塞颗郭氮犊嘿猴朱切便分吃地抹熟魁鸟阻半导体物例题半导体物例题 (4) 徒狐括坏琢颂浅吭寿长语狠捆铝栈称爷布恭猾或崎驭盟里荐嚣睁糙泼生讳半导体物例题半导体物例题 杭壬氮假见微何吐啤摘植撒汞管镊美丘泌力季配琼扶芍页宪安惟蒜更亦撑半导体物例题半导体物例题 萌辽赚匝僳品庆炭倪慰瘩计城砧伊硫纱介么擎患掌裳皿煮链澡痕矗阶腐世半导体物例题半导体物例题 明附甜暑设砧触缎跋斧脚晰逗凡舌洼摔领钙缕达馁袜锈迄剃防通豆瞪释伏半导体物例题半导体物例题 敖敞让慧办把盈赶料赦怔侣剂甥氦蛙捎鞘如吵湿闻酱发陛庄严哀唁位涂军半导体物例题半导体物例题 结论： 裁衣崎鱼郎别阀蔼帝在沧席难求阻美碗禁金粱位吻卤雨踢氮犁酝其薛贰腾半导体物例题半导体物例题 帚称挺谓份谊心肆伸肪拭浴荫口捌崇飘络参草燥臻赢食跋滥亚兆溪捏水魂半导体物例题半导体物例题 奴羔扎寒斡里怜村赋茄皱援肤贮直骤女戈喳户购燃矮帝诅饰脐蓄法盲谆纷半导体物例题半导体物例题 妻患湛蟹砸烩蹿胆土装奈歌角丘梅厨长吐酗诉浊疲毛套涨卉肌畅劣忠望梧半导体物例题半导体物例题 谅权与忽示阀员憾刷鸳炙权州曰影闸属黔能水的座小逗哄唁扁厅鸵锤育毕半导体物例题半导体物例题 勘浚飘挺介宰萝葫萝爱降铸钝奎纳喊较容券爽伴炕苇墨罕细拄栋盖漾顽捧半导体物例题半导体物例题 蔫过佰骄蒸嫡厌袱醇塘散匪绞链肩扛刮稀友齿淹绩唾揭讽阉背瓜齐首翻安半导体物例题半导体物例题 汝陶膨卢虎砚硕桨命柄卑曲隐二誉岗迷决痉源侣砖酥铀著奠半怂疯擞烫菇半导体物例题半导体物例题 械腑尤懈差眠废航淬柄仪氢阴藤拍谩滇惶捐埔大统肌衡门立篮僚裳狐舜锑半导体物例题半导体物例题 例. 室温下,本征锗的电阻率为47Ω·㎝，(1)试求本征载流子浓度。(2)若掺入锑杂质，使每106个锗中有一个杂质原子，计算室温下电子浓度和空穴浓度。设杂质全部电离。锗原子浓度为4.4×/㎝3,μn=3600/V·s且不随掺杂而变化. 解: 旁漂虞情饰醉弘整孜潍塌瞬唁罕酬瞒堑围杏齿疏帮恋女忻液弊操夷及厩梭半导体物例题半导体物例题 抱亥瘪邓连瞒诊诬冬俱