第10章半导体传感器分解.ppt

10.3 色敏传感器 10.3.1 半导体色敏传感器的基本原理 1.光电二极管的工作原理 ◆光在半导体中传播时的衰减是由于价带电子吸收光子而从价带跃迁到导带的结果，这种吸收光子的过程称为本征吸收。硅的本征吸收系数随入射光波长变化的曲线如图所示。由图可见，在红外部分吸收系数小，紫外部分吸收系数大。这就表明，波长短的光子衰减快，穿透深度较浅，而波长长的光子则能进入硅的较深区域。 图 吸收系数随波长的变化 10.3 色敏传感器 ◆对于光电器件而言，还常用量子效率来表征光生电子流与入射光子流的比值大小。其物理意义是指单位时间内每入射一个光子所引起的流动电子数。根据理论计算可以得到，P区在不同结深时量子效率随波长变化的曲线如图所示。图中xj即表示结深。浅的P-N结有较好的蓝紫光灵敏度，深的P-N结则有利于红外灵敏度的提高，半导体色敏器件正是利用了这一特性。 图 量子效应随波长的变化 10.3 色敏传感器 2．半导体色敏传感器工作原理 半导体色敏传感器的P -N-P不是晶体管，而是结深不同的两个P -N结二极管，浅结的二极管是P -N结；深结的二极管是P-N结。当有入射光照射时，P 、N、P三个区域及其间的势垒区中都有光子吸收，但效果不同：紫外光部分吸收系数大，经过很短距离已基本吸收完毕；浅结的即是光电二极管对紫外光的灵敏度高，而红外部分吸收系数较小，这类波长的光子则主