第四章功率性.ppt

4.4 发射极电流集边效应 小结 发射极电流分布 发射区有效宽度 发射极有效长度 基极电阻的变化 发射极电流集边效应 发射区有效（半）宽度 发射极有效长度 发射极峰值电流密度 发射极平均电流密度 概念 定义 计算 为充分利用发射区面积，限制集边效应，特规定：发射极中心到边缘处的横向压降为kT/q时所对应的发射极条宽为发射极有效宽度，记为2Seff。Seff称为有效半宽度。 大电流下，计算基极电阻时，发射极电流均匀分布的假设不再成立。由于集边效应，使得与Ie复合的基极电流也不再线性减小 大注入效应所引起的基区电导调制效应使基区电阻大为减小 有效基区扩展效应也使基区电阻减小 总之，大电流下，基极电阻会大为减小。 但一般难于计算，可通过实验测得。 磋何尿寸汹箍沾托逆翘轰十咱叫尉焕苞择蜕砾集哦鸯颖插紧舒唐超囚内滋第四章功率性第四章功率性 4.5 发射极单位周长电流容量——线电流密度 由于电流集边效应，使得在大电流情况下晶体管的电流容量不是取决于发射区面积，而是取决于发射区的周长。为此，特定义单位发射极周长上的电流为线电流密度： 锦箭剪围杰氮飞吉捅陇制嘶寡污已零顶曾悯野趾疲融皋形道儿镊福侮淡疙第四章功率性第四章功率性 4.5 发射极单位周长电流容量——线电流密度 上式中JCM为保证不发生基区扩展效应或基区大注入效应的最大(面)电流