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第六节 TigerSHARC外围SDRAM、外口接口、Link 上节回顾 TigerSHARC的存储器; TigerSHARC IO控制器; TigerSHARC 外口总线 Slow协议 Pipelined协议 本节内容 TigerSHARC 外口总线 SDRAM协议 多片DSP接口; Host接口; EEPROM接口; Link口; DMA控制器;(下一节) PART 1 TigerSHARC 外口总线(II) TigerSHARC 外口总线 II SDRAM协议 多DSP接口; Host接口; EEPROM接口; SDRAM 接口协议 TS101内部采用专用的地址控制支持 SDRAM协议和访问; SDRAM空间地址:0x4000000~0x7FFFFFF; SDRAM片选信号:MSSD; SDRAM – 同步动态刷新存储器 所有输入输出信号都在SCLK的上升沿进行采样; 每个SCLK周期传输一个总线宽度的数据; SDRAM具有Burst的工作模式: TS101只支持Full Page的Burst模式; 可变成的读取延迟周期(初始化时设置) TS101的SDRAM PipeLined协议接口: 写PipeLine深度为0或1,可以在SDRCON中设置; 读PipeLine深度为:(CAS latency + pipeline cycle = 4 cycles max) Pipeline useful when total load of SDRAMs is too high for TigerSHARC 专用SDRAM 地址空间 SDRCON – 控制寄存器 上电复位后只允许写一次; 模式值为不使能SDRAM; SDRCON寄存器内容 SDRAM enable:使能位 CAS Latency:CAS延迟 Pipe Depth:流水深度 Page Boundary:Page大小:256、512、1K Refresh Rate:刷新速率 PRC to RAS Delay: RAS to PRC Delay INIT Sequence:初始化顺序(用于不同类型的SDRAM) SDRAM控制信号 除了与其他接口共享32bit地址线和64bit数据线外,SDRAM接口有如下专用的控制信号: MSSD:SDRAM空间专用片选; RAS:行地址触发信号(Row Address Strob) CAS:列地址触发信号 (Column Address Strob) SDWE:SDRAM写使能; SDCKE:SDRAM的时钟使能,时钟为SCLK; SDA10:SDRAM的地址10,负责SDRAM的刷新; LDQM:低32bit的屏蔽信号; HDQM:高32bit的屏蔽信号; SDRAM 命令 SDRAM 控制器提供下面命令: MRS – 模式寄存器设置; PRC – 预充电命令; Active:页激活(锁行地址); Read:读操作; Write:写操作; REF :刷新命令 SREF:刷新命令 BSTOP:Burst停止命令; 每个控制命令都是使用上述控制信号的进行编码组合而表示;而且每个命令都使用多个周期完成; MRS命令 MRS – 模式寄存器设置 只能有ID=0的DSP完成; 用于对SDRAM进行参数的初始化,参数设置与SDRCON; MRS命令使用ADDR [13:0]作为数据输入(不使用数据线); MRS 有两种设置顺序:针对不同厂家的SDRAM芯片; SDRCON Init Seq位选择; MRS 主要设置如下参数 : Burst length – TigerSHARC固定支持Full Page; Burst type – TigerSHARC固定支持sequential burst; Ltmode – latency mode (CAS latency); 由 SDRCON 编程(1-3 cycles) Read命令 Read命令的一个完整周期: 激活Page(锁行地址); Read操作(锁列地址); 结束操作BSTOP(Burst 停止,否则持续读整页) Read操作的命令格式: MSSD = low CAS = low RAS = high SDWE = high SDCKE = high Write命令 Write命令的一个完整周期: 激活Page(锁行地址); Write操作(锁列地址); 结束操作BSTOP(Burst 停止,否则持续读整页) Write操作的命令格式: MSSD = low CAS = low RAS = high SDWE = low SDCKE = high SDRAM 初始化 建议多片TS101的系统中进行如下SDRAM初始化: 由ID=0的TS1
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