考察一个屏蔽体是否对电感耦合起作用, 只要看屏蔽体的引入是否改变了原来的磁场分布。 设屏蔽体是非磁性材料构成的, 且只有单点接地或没有接地。由于屏蔽是非磁性材料的, 因此它的存在对导体周围的磁通密度没有影响, 导体1与导体2的互感M12没有变化。所以导体1在导体2上感应的电压与没有屏蔽时是相同的。 在磁场的作用下, 屏蔽体上也会感应出电压, 设导体1与屏蔽体间的互感为M1S, 则导体1上的电流I1在屏蔽体上感应的电压为 US=jωM1SI1 (3-18) 如果屏蔽体只单点接地或没有接地, 屏蔽体上没有电流, 所以不会产生额外的磁场, 因此这个屏蔽层对磁场耦合没有任何影响。 如果屏蔽体的两端接地, 屏蔽层上会有电流流过, 这个电流会产生一个附加的磁场。引起导体2周围磁场的变化, 因此这个屏蔽层对磁场耦合有一定影响。 3.1.3 电容性耦合与电感性耦合的综合考虑 前面研究电容性耦合及电感性耦合的模型及计算, 是假定只有单一类型的干扰耦合, 而没有其他类型耦合的情况, 但事实上各种耦合途径是同时存在的。 当耦合程度较小且只考虑线性电路分量时, 电容性耦合(电耦合)和电感性耦合(磁耦合)的电压可以分开计算, 然后再找出其综合干扰效应。 由前面的分析
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