第5章 晶体管基本放大电路3.pptVIP

Rds的值很大，可以忽略。 * 1.场效应管利用栅源电压控制漏极电流，是电压控制元件，栅极基本不取电流（很小），输入回路电阻很大； 晶体管利用基极电流控制集电极电流，是电流控制元件，基极索取一定电流，输入阻抗较小。 2.晶体管的放大倍数通常比场效应管大。 3.场效应管只有多子导电，而晶体管多子和少子均参与导电，场效应管比晶体管热稳定性好、抗辐射能力强。 4.场效应管比晶体管噪声系数小。 5.场效应管源极、漏极可以互换使用，互换后特性变化不大；而晶体管的发射极和集电极互换后特性差异很大,一般不能互换使用。 6. 场效应管的种类比晶体管多，特别对于耗尽型MOS管，栅-源控制电压可正可负，均能控制漏极电流。 7. 场效应管和晶体管均可用于放大电路和开关电路，但场效应管具有集成工艺简单，工作电源电压范围宽，低功耗等特点，目前越来越多的应用于集成电路中。 * N沟道结型场效应管和N沟道增强型MOS管 * 阻抗匹配：指出共基极、集电极、发射极放大电路的输出电阻比较大，最小的共集电极放大电路的输出电阻也有几十欧姆，若RL是一个扬声器，其标准阻抗是4欧姆，那么扬声器要想获得最大功率，输出电阻也应该是4欧姆，就目前的放大电路无法满足这一条件，可通过变压器来实现阻抗转换。 * N沟道增强型MOS管 2.工作原理 P 衬底B N+ S G D N+ 3) uGS 继续增加，uDS=0： 使导电