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连通式双反应室MOCVD系统实物图 实例：Si 衬底上 3C-SiC 薄膜的异质外延 不锈钢外壁 石墨基座 热屏蔽罩 电源接口 电源接口 石墨加热器 石墨屏蔽层 SiC 反应室的简化示意图 实例：Si 衬底上 3C-SiC 薄膜的异质外延 连通式双反应室MOCVD系统结构示意图 实例：Si 衬底上 3C-SiC 薄膜的异质外延 实例：Si 衬底上 3C-SiC 薄膜的异质外延 由于Si衬底价格便宜、质量高、单晶尺寸大，而3C-SiC在已知SiC多型体中迁移率最高并且SiC的器件制作工艺可以与成熟的Si器件工艺相兼容。因此在Si衬底上生长3C-SiC颇具商业价值和应用成本优势 清洗衬底 1. 分别使用四氯化碳、甲苯、丙酮和无水乙醇超声清洗多次，以去除Si表面的有机物，然后用大量去离子水冲洗。 2. 在 H2O:H2O2：浓H2SO4=8:1:1的混合液中浸泡10分钟，以去除金属离子，再用大量去离子水冲洗。 3. 用 HF: H2O=1:20 的混合溶液浸泡 Si 衬底2分钟，以除去Si表面的SiO2氧化层，再用大量去离子水冲洗。 4. 用去离子水冲洗，接着快速用 N2 吹干。 生长温度对SiC薄膜生长的影响 实例：Si 衬底上 3C-SiC 薄膜的异质外延 不同生长温度下SiC薄膜的XRD谱 1150 oC 1230 oC 1270 oC 1350 oC