一维MT正演实验.docxVIP

《电法资料处理与解释》实验六一维MT正演实验 专业名称：地球物理学 学生姓名：学生学号：指导老师：冯兵、周建美完成时间：2016.12.24一、实验目的1、掌握MT的一维正演理论；2、编制一维正演程序；3、掌握视电阻率和阻抗相位的概念；4、通过对一维地电模型的模拟，在不同厚度低阻层、不同电阻率差异、不同深度情况下进行理论模型正演计算，考查该方法对一维地电模型的纵向分辨力。二、实验要求1、了解一维正演理论的基本原理，能够正确运用程序计算一维模型的视电阻；2、了解程序基本思路，能够自己修改输入输出参数；3、不断改变模型参数进行计算，并绘制剖面曲线图，比较由于电阻率变化或厚度变化引起的剖面曲线变化，对测试结果作理论上的分析；4、完成实验报告，word排版，格式合理。三、实验内容1、均匀半空间模型模拟；2、两层D、G型地电模型模拟；3、三层H型地电模型模拟；4、五层地电模型模拟。5、与CSAMT视电阻率曲线做一比较，区分他们特征。实验原理1、计算视电阻率和视相位的通式分别为：均匀半空间模型：（1），可得，，，说明均匀半空间所得视电阻率就是真的电阻率，是一个常数，即，因此后边结果中将不再对均匀半空间情况做讨论。（2）相位是常数（-），这也说明了模型是电性均一的，相位差不变。2、两层地电模型：（1）视电阻率公式为：（2）当时，，因，，所以，即高频渐近线趋于第一层的电阻率。（3）当，式中第一项可以忽略，这时的视电阻率趋于第二层的：两层情况下，相位表达式为：3、三层 H 型地电模型：（1）视电阻率公式为；（2）高频时与两层模型一样，趋于第一层电阻率；（3）低频情况下的对于H型曲线，且当时，视电阻率仅与上面两层纵向电导率有关，而与其下的单个参数无关；（4）S等值性，当H型地电断面中第二层为薄层时，视电阻率值只和这一层的纵向电导有关。坐标表示方法：（1）视电阻率曲线的双对数坐标表示；（2）相位曲线一般用单对数坐标；（3）归一化，将电阻率ρa用ρ1归一化，厚度λ1用深度h1归一化，可得： 。实验结果及分析均匀半空间模型（ρ1= 500） 图1.均匀半空间视电阻率曲线图2、两层D型地电模型（ρ1=500，ρ2=100） 图2.均匀半空间视电阻率曲线图两层G型地电模型（ρ1=100，ρ2=500） 图3.两层G型地电模型视电阻率曲线图4、三层H型地电模型（ρ1=500，ρ2=100，ρ3=800，h1=100）5、五层地电模型（ρ1=500，ρ2=100，ρ3=500，ρ4=100，ρ5=500，h1=100，h3=100）六、实验总结通过本次MT一维正演实验，可看出，MT探测深度很大。在深部地球物理探测中会取得很好效果。通过grapher作图，掌握了grapher软件的基本操作，理解了不同地电模型的特征和形状，将电法知识进一步深化理解。