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MOS管学习笔记 主要内容 MOS管的种类及结构 MOS管的工作原理 MOS管的主要参数 MOS管的驱动 MOS管的种类及结构 MOS管的全称是：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（金属氧化物半导体场效应管） MOS管的工作原理 MOS管的主要参数 如果电压超过漏源极限电压将导致器件处在雪崩状态 EAS：单次脉冲雪崩击穿能量，说明MOSFET所能承受的最大雪崩击穿能量 IAR：雪崩电流 EAR：重复雪崩击穿能量 MOS管的驱动 开关管导通时，驱动电路应能提供足够大的充电电流使栅源电压上升到需要值，保证开关管快速开通且不存在上升沿的高频震荡。 开关管导通期间驱动电路能保证MOSFET栅源间电压保持稳定使其可靠导通。 关断瞬间驱动电路能提供一个低阻抗通路供MOSFET栅源间电压快速泻放，保证开关管能快速关断。 关断期间驱动电路可以提供一定的负电压避免受到干扰产生误导通。 驱动电路结构尽量简单，最好有隔离 。 （2）有隔离变压器互补驱动电路 优点： 电路简单可靠，具有电气隔离作用。当脉宽变化时，驱动的关断能力不会随着变化。 该电路只需一个电源，隔直电容C的作用在关断时提供一个负压，从而加速了功率管的关断，有较高的抗干扰能力。 缺点： 输出电压幅值会随着占空比变化而变化。 当D较小时，负电压较小，抗干扰能力变差，同时正向电压高，应注意不要超过栅源允许电压； 当D大于0.5时，正向电压降低，负电压升高，应注意使其负电压不要超过栅源允许电压 。 该电路比较适用于占空比固定或占空比变化范围不大及占空比小于0.5的场合 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 该电路比较适用于大于0.5的场合 此时副边绕组负电压值较大，稳压二极管Z2的稳压值为所需的负向电压值，超过部分电压降在电容C2上。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. D0.5时，变压器副边典型的电压波形 （实验波型） D≤0.5时，变压器副边典型的电压波形 （实验波型） Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 在下面的介绍中，我就以增强型NMOS管为例来介绍 以N沟道增强型的NMOS管为例… t0之前：MOSFET处于关闭状态，其漏源间承受全部电压Vdd，栅极电压VGS和漏极电流ID为零； T0~T1：VGS线性上升并到达门槛电压VG(th)。VGS上升到VG(th)之前漏极电流ID≈0A 漏极电流iD从t1时刻起依VGS按一定函数关系爬升 ，iD = K(VGS－Vth)2 （米勒效应） 图示为常用小功率驱动电路，简单可靠，成本低。适用于不要求隔离的小功率开关设备。 V1、V2互补工作，电容C起隔离直流的作用 ，T1高频高磁率磁环 * * Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 导电载流子的带电极性 N沟道（电子型） P沟道（空穴型） 导电沟道形成机理 增强型（E型） 耗尽型（D型） 组合共有4种类型 分类 在实际应用中，只有N沟道增强型和P沟道增强型，这两种中比较常用的是NMOS管，原因是导通电阻小，且容易制造 。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 结构 符号 剖面图 以一块掺杂浓度较低，电阻率较高的P型硅半导体薄片作为衬底，利用扩散的方法在P型硅中形成两个高掺杂的N+区。然后在P型硅