,数电完整课件。.pptVIP

§2.1 二极管三极管和MOS管 开关等效电路 §2.2 简单的与、或、非门电路 2.2 简单的与、或、非门电路 2.工作原理 2.4 CMOS门电路 2.6 TTL门和CMOS门电路接口 ①74：标准系列，前面介绍的TTL门电路都属于74系列，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝10ns，平均功耗P＝10mW。 ②74H：高速系列，是在74系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝6ns，平均功耗P＝22mW。 ③74S：肖特基系列，是在74H系列基础上改进得到的，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝3ns，平均功耗P＝19mW。 ④74LS：低功耗肖特基系列，在74S系列基础上改进，其典型电路与非门的平均传输时间tpd＝9ns，平均功耗P＝2mW。 TTL系列集成电路 74LS系列产品具有最佳的综合性能，是TTL集成电路的主流，是应用最广的系列。 MOS管有NMOS管和PMOS管两种。 当NMOS管和PMOS管成对出现在电路中，且二者在工作中互补，称为CMOS管(意为互补)。 　　MOS管有增强型和耗尽型两种。 在数字电路中，多采用增强型。 NMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接正电源 截止 导通 导通电阻相当小 （1） NMOS管的开关特性 场效应管的开关特性 PMOS管的电路符号及转移特性 (a) 电路符号 （b）转移特性 D接负电源 （2）PMOS管的开关特性 导通 导通电阻相当小 截止 场效应管的开关特性 2.4 CMOS逻辑门电路 场效应管的开关特性 g d s RD +VDD 截止状态 vIVT vo≈+VDD g d s RD +VDD 导通状态 vI VT vO≈0 工作原理电路 vI vO g d s RD +VDD MOS管的漏极D和源极S当作一个受栅源G电压控制的开关。 开启电压 D，S间没有导电沟道，开关断开 D，S间形成导电沟道，开关闭合 ①当vA＝0V时，由于vGS＝vA＝0V，小于开启电压VT，所以MOS管截止。输出电压为vY＝VDD＝10V。 ②当vA＝10V时，由于vGS＝vA＝10V，大于开启电压VT，所以MOS管导通，且工作在可变电阻区，导通电阻很小，只有几百欧姆。输出电压为vY≈0V。 NMOS d s g d s g PMOS 简化电路 ? CMOS反相器 PMOS NMOS 柵极相连做输入端 2.4.1 CMOS反相器 漏极相连做输出端 衬底与漏源间的PN结始终处于反偏，NMOS管的衬底总是接到电路的最低电位，PMOS管的衬底总是接到电路的最高电位 ? CMOS反相器 PMOS NMOS 电源电压VDD＞VT1+|VT2|，VDD适用范围较大可在3～18V， VT1--NMOS的开启电压 VT2--PMOS的开启电压 2.4.1 CMOS反相器 ? CMOS反相器 工作原理： 1、输入为低电平VIL = 0V时 VGS1＜VT1 T1管截止； |VGS2| ＞VT2 电路中电流近似为零（忽略T1的截止漏电流）,VDD主要降落在T1上，输出为高电平VOH≈VDD T2导通 2、输入为高电平VIH = VDD时，T1通T2止，VDD主要降在T2上，输出为低电平VOL≈0V。 实现逻辑“非”功能 2.4.1 CMOS反相器 （1）vA＝0V时，TN截止，TP导通。输出电压vY＝VDD＝10V。 （2）vA＝10V时，TN导通，TP截止。输出电压vY＝0V。 2.4.1 CMOS反相器 在两种工作情况下，总有一管截止，电流iD≈0（纳安数量级的漏电流），接近理想的逻辑单元： ①输出电压幅度大（接近0V或+VDD），功耗几乎为零。 ②工作速度快，带电容负载能力强。 2.4.1 CMOS反相器 1.CMOS与非门 2.4.2 CMOS门电路 A Y +VDD B TP2 TN2 TN1 TP1 两个串联的NMOS管TN1和TN2 两个并联的PMOS管TP1和TP2 每个输入端与一个NMOS管和一个PMOS管的栅极相连 1 ①A、B中有一个或全为低电平时 ②当输入 A、B 全为高电平时 缺点：当输入端增多时，低电平抬高 1.CMOS与非门 2.4.2 CMOS门电路 A Y +VDD B TP2 TN2 TN1 TP1 0 1 通 止 止 通 1 1 通 止 0 输出Y为高电平 输出Y为低电平 TN1、TN2中有一个或全部截止，TP1、TP2中有一个或全部导通。 双极型CMOS电路继承了双极型器件速度快和CMOS器件功耗小的优点,所以应用愈来愈广泛。 MP、MN构成