一、目前国内外各种太阳能级多晶硅规范 信息产业部2006年6月“太阳能电池用多晶硅材料研发及产业化”招标文件,对技术的总体要求: 总量0.3ppma 即6N~7N (2)863计划建议初稿(05) “千吨级高纯多晶硅生产线工艺关键技术开发” 技术经济指标 (一)纯度 1、电子级多晶硅9 N – 11 N。 2、太阳能级多晶硅6 N – 8 N。 (二)杂质含量指标 1、电子级多晶硅 (1)硼 ≤ 0.20 ppba (2)施主 ≤ 0.90 ppba (3)碳 ≤ 1.0 ppma (4)Fe, Cu, Ni 和 Cr等金属杂质总含量 ≤ 30.0 ppba 2、太阳能级多晶硅 达到太阳电池生产要求 (3)“十一五”攻关计划(初稿) 产品质量考核指标: ①电子级多晶硅 杂质含量: P≤0.15ppba,B≤0.03 ppba, C≤0.1ppma, 体内金属杂质≤1.5ppba。 ② 太阳能电池级多晶硅: N型电阻率≥50Ω·cm, P型电阻率≥300Ω·cm, 杂质含量:P≤1ppba,B≤2ppba,C≤1.0ppma, 重金属杂质总量(Cu、Fe、Ni、Cr、Zn)≤20ppbw。 ③ 低成本、新工艺、新技术研究生产的产品: 纯度:6~7个
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