MSPE-全闪存产品介绍V1.5.pptxVIP

专业存储领域领导品牌全闪存阵列的设计与实测目录21全闪存阵列设计典型应用场景与实测案例什么是闪存？=》电存储方式、芯片磁存储方式、机械臂闪存的出现：去除在线存储系统内唯一的机械部件闪存的显著优点 – 性能高固态硬盘Intel DC S3610 400GBSAS15K希捷ST300MP0005SAS10K希捷ST1200MM0088SAS7.2K希捷ST4000NM00334K随机IOPS8.4w(读)2.5w(写)~180~155~76顺序读MB/s550(读)400(写)160~233108~215175平均延迟55μs(R)66μs(W)2ms+3.5ms2.9ms+3.5ms4.16ms+9ms 固态硬盘的随机读写性能是传统磁盘的数百倍，延迟只有传统磁盘的一百至数百分之一！闪存性能举例45万IOPS1536块传统硬盘过去需要1536块硬盘完成的任务，在今天的全闪存上只需要20块硬盘！闪存的显著缺点 – 擦写寿命与写放大擦写寿命：SLC：典型擦写寿命10万次MLC：典型擦写寿命1万次eMLC：典型擦写1.5~3万次注：当然根据制程不同，又略有区别写入放大：SSD是以1 page（如4K）写入，而擦除则是以block（128*4K）为最小单位。当发生数据更改时，需要先擦除，而擦除block就需要将其中有效的page移动并写入到其他位置，于是就发生了写放大问题。闪存的典型寿命举例SATA接口的耐磨度和最大容量：Intel 3710：10DWPD，Max 1.2TBIntel 3610：3DWPD，Max 1.6TBIntel 3510：0.3DWPD，Max 1.6TB三星SM863： 3.6DWPD，Max 1.92TB三星PM863： 0.8DWPD，Max 3.84TB高可靠领域：10*1.2=12TB/天典型的全闪存阵列配盘传统阵列中的二级读缓存DWPD(Disk Write Per Day) (全盘磁盘写/每天)基于闪存的三种阵列传统阵列：常见形态传统阵列+少量SSD盘，SSD盘用作二级缓存，提升性能。二级缓存以读居多。混合阵列：常见形态闪存+机械硬盘混合的阵列，闪存、机械硬盘都用于存放数据。数据可在闪存及机械硬盘之间进行迁移。全闪存阵列：未来的方向只采用闪存用作存储介质的阵列。闪存的性能完全不同，全闪存阵列需要完全不同的硬件架构！闪存的特性完全不同，全闪存阵列需要完全不同的软件处理方式！ 关于全闪存阵列的不同设计思路（EMC）关键字：横向扩展节点（不是最强的）0.5ms的延迟（不是最强的）采用XDP与重删，提高利用率采用eMLC降低成本注重性能与功能的平衡基本单元1个UPS2个控制器1个磁盘框 关于全闪存阵列的不同设计思路（IBM）关键字：特殊设计的硬件，追求极致性能，如4模块200万4K随机IOPS低于200μs的延迟基本没有高级特性借助SVC等实现高级特性全闪存阵列的不同设计思路（华为）关键字：采用传统双控存储硬件不横向扩展、只纵向扩展宣传最大IOPS 60万，延迟0.5毫秒功能特性丰富宏杉全闪存阵列的设计思路硬件架构优化横向扩展设计引擎处理能力设计硬盘通道设计软件架构优化全局磨损平衡写入优化性能与功能的平衡闪存的性能完全不同，因此，全闪存阵列需要完全不同的硬件架构！闪存特性完全不同，因此，全闪存阵列需要完全不同的软件处理方式！MS7000AF横向扩展硬件架构主打高性能10核20线程10核20线程10核20线程10核20线程控制矩阵（8引擎扩展）SSDSSDSSDSSDSSD主机通道SSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSD横向扩展：通过控制矩阵，可横向扩展至8个控制引擎（PCIE3.0或40Gb/100Gb低延迟以太网）；纵向扩展：多个独立的384Gb通道扩展6个硬盘框（SAS3.0）；SSDSSDSSDSSDSSD1.5TB高速缓存硬盘通道单引擎处理能力10核20线程10核20线程10核20线程10核20线程80CPU线程的处理能力1.5TB高速缓存SSDSSDSSDSSDSSD主机通道SSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSDSSD384Gb交换带宽/25盘SSDSSDSSDSSDSSD1.5TB高速缓存30WIOPS/25盘硬盘通道硬盘通道设计传统SAS架构：采用24Gb SAS2.0或4Gb FC连续；每个硬盘柜2条链路上行，2条链路向后端纵向扩展；宏杉SSD架构：采用48Gb SAS3.0连接；每个硬盘柜8条链路上行，不纵向扩展；每个硬盘柜25盘，每6个SSD独享2条48Gb SAS3.0通道传统SAS架构SSD架构前端总线前端总线CPUCPUCPUCPU后端总线后端总线瓶颈24Gb SAS2.0/4Gb FC