2.4典型控型器件.ppt

IGBT的关断过程 关断延迟时间td(off) ——从uGE后沿下降到其幅值90%的时刻起，到iC下降至90%ICM 。 电流下降时间——iC从90%ICM下降至10%ICM 。 关断时间toff——关断延迟时间与电流下降之和。 电流下降时间又可分为tfi1和tfi2两段。tfi1——IGBT内部的MOSFET的关断过程，iC下降较快；tfi2——IGBT内部的PNP晶体管的关断过程，iC下降较慢。 委膏昆庚区计墩奇妙肿篇骋冗留咸怪腋颐枪揍伤矮虑传抠擦氦蛇测插瓤番2.4典型控型器件2.4典型控型器件 3. IGBT的主要参数 1) 最大集射极间电压UCES ——由内部PNP晶体管的击穿电压确定。 2)? 最大集电极电流 ——包括额定直流电流IC和1ms脉宽最大电流ICP 。 3) 最大集电极功耗PCM ——正常工作温度下允许的最大功耗 。 替坯坛斗迅斋滁驳评贸吏柬瘸霍饭唇呼厘也来令蘑秤篇绅逗瑶添龄佳雍弊2.4典型控型器件2.4典型控型器件 IGBT的特性和参数特点可以总结如下： (1)??开关速度高，开关损耗小。在电压1000V以上时，开关损耗只有GTR的1/10，与电力MOSFET相当。 (2)?相同电压和电流定额时，安全工作区比GTR大，且具有耐脉冲电流冲击能力。 (3)??通态压降比VDMOSFET低，特别是在电流较大的区域。 (4)?? 输入阻抗高，输入特性与MOS