学习情景四图形加工学习子情景二刻蚀.pptVIP

典型反应气体 目前生产上经常用CF3与Cl2混合进行等离子体刻蚀； Cl2有较好的选择性； 有时还会加入少量氧以提高刻蚀速率； 氮化硅的干法刻蚀 Si3N4的干法刻蚀方法和SiO2一样，只不过Si-N键的键结强度介于Si-O键和Si-Si之间； 如果用CF4或其他含氟的气体来进行刻蚀，则选择性较差； 以CF3为例， 对SiO2与Si的刻蚀选择性在10以上，但是对Si3N4与Si的刻蚀选择性仅在3~5之间，对Si3N4与SiO2的选择性仅在2~4之间。故近期改用NF3的等离子体进行刻蚀，结果比较理想； 多晶硅的刻蚀 多晶硅的刻蚀比Si3N4和SiO2要复杂得多； 多晶硅栅极本身由两层不同材料组成（多晶硅和金属硅化物），单一等离子体对其刻蚀速率不一致，所以，必须分两步走，以便对某一材质进行刻蚀； 首先对金属硅化物的刻蚀，氟原子和氯原子都可以和各种过渡金属反应生成具有挥发性的化合物，刻蚀气体有CF4、 SF6、 Cl2、及HCl等； 生产挥发性WF4、 WCl4等； 硅的刻蚀： 氟原子对多晶硅有刻蚀，但这种刻蚀是各向同性的，而多晶硅的刻蚀必须是各向异性的，所以，氟原子不适合多晶硅的刻蚀； 也即，CF4及SF6都不适合多晶硅的刻蚀； 只有对硅刻蚀呈现出各向异性的氯原子可以作为合适的刻蚀气体； 主要有Cl2及HCl、还有SiCl4也可以。 铝和铝合金的刻蚀 铝刻蚀 氟化物气体不适合铝的刻蚀