1半导体二极管讲解.ppt

课 程 安 排 1.1.2 杂质半导体 2、P 型半导体 2. PN结的单向导电性 （2） PN 结加反向电压（反向偏置） PN 结加反向电压（反向偏置） 1.2 半导体二极管 1.2.1 半导体二极管的基本结构、符号和外形： 一个PN结加上相应的电极引线并用管壳封装起来，就构成了半导体二极管，简称二极管。 1.2.2 伏安特性 1.2.3 整流二极管的主要参数及选用依据 1.2.4 特殊二极管 二极管电路分析举例 （1）最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 （2）最大反向电压URM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 （3）最大反向电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。硅管的反向电流较小，锗管的反向电流较大，为硅管的几十到几百倍。 1.主要参数 （4）最高工作频率 2. 二极管的选用 （1） 二极管电压、电流 （2）极性不要接反 （3）大电流管加散热片 （4） 高频小信号的检波电路一般用点接触型锗管，整流及电工设备中一般用面接触型硅管 3 .普通二极管的代换（查手册） 4 .二极管的质量鉴别(单向导电) 二、实际二极管 uD iD 例 1.1 硅二极管，R = 2 k?，求出 VDD = 2 V 时 IO 和 UO 的值。（忽略二极管正的向工作电压） UO VDD IO R 解： VDD = 2 V IO = VDD / R = 2 / 2 = 1 (mA) UO = VDD = 2 V UO VDD IO R 硅管 0.7 V 锗管 0.2 V 二极管正的向工作电压 一、理想二极管 特性 uD iD 符号及 等效模型 S S 正偏导通，uD= 0 ; 反偏截止， iD= 0 例 1.2 ui = 2 sin ?t (V), 分析二极管的限幅作用 （二极管的死区电压为0.5V，正向工作电压0.7V）。 D1 D2 ui uO R ? 0.7 V ui 0.7 V D1、D2 均截止 uO= ui uO= 0.7 V ui ? 0.7 V D2 导通 D１截止 ui ? 0.7 V D1 导通 D2 截止 uO=? 0.7 V O t uO/ V 0.7 O t ui / V 2 ? 0.7 解： 例1.3 二极管构成“门”电路，设 D1、D2 均为理想二极管，当输入电压 UA、UB 为低电压 0 V 和高电压 5 V 的不同组合时，求输出电压 UF 的值。 0 V 正偏 导通 正偏 导通 0 V 0 V 5 V 正偏 导通 反偏 截止 0 V 5 V 0 V 反偏 截止 正偏 导通 0 V 5 V 5 V 正偏 导通 正偏 导通 5 V F R 3 kW 12 V D1 D2 B A UA UB UF R 3 kW 12 V VDD D1 D2 B A F D2 D1 UB UA 输出 电压 理想二极管 输入电压 0 V 0 V 正偏 导通 正偏 导通 0 V 0 V 5 V 正偏 导通 反偏 截止 0 V 5 V 0 V 反偏 截止 正偏 导通 0 V 5 V 5 V 正偏 导通 正偏 导通 5 V 1.稳压特性 UZ IZ IZM ? UZ ? IZ 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 _ + U I O 一、 稳压二极管 稳压管实物图 I/mA UZ /V O UZ IZ IZM + ? 正向 ? + 反向 ?UZ ?IZ 工作条件：反向击穿 反向特性曲线更陡，当反向电压增加到击穿电压时，反向电流突然剧增。稳压管击穿。之后电流变化时，电压变化很小。 稳压管是一种用特殊工艺制造的半导体二极管，稳压管的稳定电压就是反向击穿电压。稳压管的稳压作用在于：电流增量很大，只引起很小的电压变化。 反向电压超过击穿电压时，流过管子的电流会急剧增加。击穿并不意味着管子一定要损坏，如果我们采取适当的措施限制通过管子的电流，就能保证管子不因过热而烧坏。在反向击穿状态下，让流过管子的电流在一定的范围内变化，这时管子两端电压变化很小，利用这一点可以达到“稳压”的效果。 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时管子两端