2015第3次课第三章异质结的能带图概要.pptVIP

有外加偏压时： 什么是Anderson 定则？ 异质结能带有几种突变形式？ 尖峰的位置与掺杂浓度的关系是什么？ 同质结和异质结的电势分布有何异同？ 同型异质结有哪些特点。 3.1节 （3.1.1）能带图 （3.1.2）突变反型异质结的接触电势差及势垒区宽度 （3.1.3）突变同型异质结 （3.1.4）几种异质结的能带图 （3.1.5) 尖峰的位置与掺杂浓度的关系 第三章 异质结的能带图 （3.1.1）能带图 A B Ec Ec A B Ec Ec Ev Ev Ev Ev 能带结构 异质结界面两侧的导带极小值和价带最高值随坐标的变化。 什么是能带图？ Let x be the electron affinity, which is the energy required to take an electron from the conduction band edge to the vacuum level, 电子亲和势?：电子由导带底跃迁到真空能级所需的能量，?=E0-Ec vacuum level Ec Ev let f be the work function, which is the energy difference between the vacuum level and the Fermi level. 功函数?：电子由费米能级至自由空间所需的能量，?=E0-F f