2016-4(第四章)淀积概要.ppt

LPCVD为反应速度限制，对比APCVD为质量传输限制，质量传输限制关心的是如何将反应气体输运至硅片表面，因此硅片需要水平放置，而反应速度限制需要考虑的如何提高表面反应速度，因此硅片如何放置无关紧要，所以硅片可以垂直放置。 * 由此可见，可使用APCVD淀积层间介质（温度低），可使用LPCVD淀积浅槽隔离介质（质量好） LFC：liquid flow controller 似乎此页可删除 自对准：栅的边缘位置与源漏的边缘位置自动对准。 * SMIC’s 28nm technology is a mainstream industry technology and consists of both conventional PolySiON (PS) and gate-last high-k dielectrics metal gate (HKMG) processes. * 铝熔点660摄氏度.LPCVD淀积温度一般较高,在700~800摄氏度,因此不能用其在铝上淀积薄膜,而使用PECVD就很合适.APCVD 100nm/min;LPCVD 20nm/min; PECVD 60nm/min. * PECVD产量？ 因此使用TEOS有更好的台阶覆盖能力和间隙填充能力 * * 空气具有最小介电常数，为1。 * 空气具有最小介电常数，为1。 * 1). 影响台阶覆盖因素——前驱物的表面接