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一、选择。 1、属于传感器动态特征的是（B）。 A迟滞 B、冲量 C、稳定性 D、线性度 2、单色光的波长越短，他的（A）。 A频率越高，其光子能量越大。 B频率越低，其光子能量越大。 C频率越高，其光子能量越小。 D频率越低，其光子能量越小。 3、热电偶可以测量：（C) A、压力 B、电压 C、温度 D、热电势 4、电容式传感器不能测量的：(D) A、位移 B、振动 C、角度 D、温度 5、下列应用热电偶传感器的是:(D) A、电子秤B、麦克风 C、烟雾报警器 D、温度计 6、下列应用光电式传感器的是：(B) A、火灾报警器 B、心跳测量 C、水质检测 D、汽车磅 7、下列那个是0点残余电压的产生原因？：（D） A、绕阻电气系数不同 B、绕阻几何尺寸不用 C、绕阻制作工艺不同 D、以上3项都对 电容式传感器不能测量：（D） A、位移 B、振动C、角度 D、温度 （ C ）传感器属于无源型传感器： A、压电式 B、霍尔式 C、电感式 D、电容式 10、下列那种传感器能用来测量位移：（ABCD） A、电容式 B、电感式C、霍尔式 D、电涡流式 11、某自感式传感器线圈压数为N，磁阻为Rm则其自感：（B） A、N/Rm B、N2/Rm C、Rm/N D、N2/Rm2 12、光敏电阻,适用于作为：（B) A、光的测量元件 B、光电导开关元件 C、加热元件 D、发光元件 13、在油污，尘埃，温度变化较大。并带有振动干扰的恶劣环境下，测量是，传感器选用时。首先考虑什么因素？：(D) A、响应特性B、灵敏度C、稳定性的D、精确度 14、单色光的波长越长，它的：（D） A频率越高，其光子能量越大。 B频率越低，其光子能量越大。 C频率越高，其光子能量越小。 D频率越低，其光子能量越小。 15、在光作用下，电子吸收的光子能量，从键合状态过度到自由状态，引起物体电阻率的变化，这种现象称为：（D） A、磁电效应 B、声光效应 C、光生伏特效应D、光电导效应 16、下列那种传感不是对物理量的测量:（D） A、压电式传感器 B、光电式传感器 C、热电传感器 D、半导体式化学传感器 二、填空。 17、使直流电桥输出电压为零的条件是对角电阻的乘积相等。 18、光电效应分为2大类内光电效应，外光电效应。 19、传感器通常由敏感元件、转换元件、转换电路组成。 20、传感器是能够感受规定的被测量并按照一定的规律转换成可输出信号的器件或装置。 21传感器的静态特征：线性度、灵敏度、分辨力、迟滞和重复性等。动态特征：是指传感器测量动态信号时，输出输入之间的关系，常用阶跃响应和频率响应来描述。 22、电阻应变片由基底、敏感栅、覆盖层和引线等组成。主要分为金属电阻应变片和半导体应变片两大类。 23金属应变片，分为三大类； （1）丝式应变片，结构简单、价格低、强度高，允许通过电流较小，测量精度较低，适用于测量要求不高场合； （2）箔式应变片，其面积较大，散热性好，允许通过较大的电流。且有较好的可绕性，灵敏系数高。 （3）金属薄膜应变片，较高的灵敏度系数，允许电流密度大，工作温度范围较广。 电阻应变效应:导体或半导体材料在外力作用下产生机械变形时，它的电阻值也相应的发生变化。R=ｐL/A 传感器技术的发展趋势：（1）发现新现象，开发新材料；（2）集成化，多功能化；（3）向未开发的领域挑战；（4）智能传感器，具有判断能力 应变效应：指导体或半导体电阻随其机械变形而变化的物理现象。 27、热电阻的温度特性：主要是指热电阻的阻值Rt和温度t之间的关系，一般可用表达式： Rt热电阻在tC（被测温度）时的电阻值； Ro热电阻的标称电阻（热电阻在0C时的电阻值） B、C、D—温度系数。 改善传感器性能的技能途径：（1）结构、材料与参数的合理选择（2）差动技术（3）平均技术（4）稳定性处理（5）屏蔽、隔离与干扰抑制（6）零位法、微差法与闭环技术（7）补偿与校正（8）集成化、智能化与信息融合 半导体的压阻效应：对一块半导体材料的某轴向施加一定的载荷而产生应力时，它的电阻率会发生变化，这一现象称为半导体的压阻效应； 半导体应变片：利用半导体材料的压阻效应而制成一种纯电阻性元件；它有三种类型：体型、薄膜型、扩散型； 横向效应：应变片的这样既受轴向应变影响又受横向应变影响而引起电阻变化的现象；有迟滞、零漂与蠕变、应变极限、温度误差； 电桥平衡条件是R1R3=R2R4; 压阻效应：在半导体材料受到应力作用下，其电阻率发生变化； 34. 电感式HYPERLINK /view/16431.htm \t _blank传感器特点：（1）结构简单，传感器无活动电触点，因此工作可靠寿命长。（2）灵敏度和分辨力高，传感器的输出信号强。（3