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微电子器件的可靠性 复旦大学材料科学系 微电子器件的可靠性Microelectronics Reliability 第五章 热载流子效应 热载流子效应 当电场超过100 KV/cm时, 载流子从电场中获 得更多的能量, 载流子的能量和晶格不再保持热平衡, 称这种载流子为热载流子. 当载流子具有的额外能量超过禁带宽度的3倍时, 载流子与晶格的碰撞电离成为主要的能量消耗形式之一. 载流子的能量超过Si-SiO2的 势垒高度(3.5 eV)时,载流子 能直接注入或通过隧道效应 进入SiO2 .影响器件性能，这 效 应称为热载流子效应。 热载流子的器件的影响 热载流子对MOS器件和双极型器件的可靠性都有影响，是属于磨损型失效机理。 在双极型器件中，热载流子造成击穿电压的弛预，P－N极漏电流增加。 在MOS器件中，热载流子效应造成MOS晶体管的阈值电压VT、漏极电流IDS和跨导G等的漂移。 在亚微米和深亚微米器件中，热载流子效应对可靠性的危害更大。 MOS 器件中的热载流子1 沟道热电子(Channel Hot Electron ) 衬底热电子(SHE) 二次产生热电子( SGHE) 二次产生热电子( SGHE) MOS 器件中的热载流子2 漏极雪崩倍增热载流子 (DAHC)沟道热电子在漏区边缘的强电场中, 发生雪崩倍增,产生新的电子和空穴。这些新产生的电子