2014年元旦大礼包材料科学基础试题答案整合,.docx

材料学基础历年考题汇总（南策文）2003（赵禹程做）什么叫倒易晶胞？什么叫对称操作，点群，空间群。3、晶体显微结构包括哪些方面？4、Neumann原理的含义和应用。5、写出Zr2O5掺杂ZnO缺陷方程式及形成何种点缺陷。6、解释两种空间群的含义，说明属于何种点群。7、6mm晶系的二阶张量的独立分量。详细解释M-G公式的含义及应用。9/立方，四方，六方的特征对称元素。立方：在 [111]方向存在3四方：在[001]方向存在4或。六方：在[001]方向存在6或2004（双爽、张冉冉做）1 为什么14种布拉维格子中没有底心立方2 显微结构的拓扑特征包含哪些，意义何在3 什么叫对称操作，点群，空间群，写出立方，四方，六方晶系的特征对称元素4 TiO2中加入Nd2O5，写缺陷方程式，判断缺陷类型，分析能带变化2TiNd+2OO+V**O5 判断I4(-3)d空间群三阶张量的独立分量（似乎题出错了，没这个空间群，难道是I(-4)3d）6 混合法则中串联法则和并联法则的含义和应用7 给课程提建议2005（已有答案）MgO是Fm3m空间群，问110和111面那个面Mg的原子面密度大。解答：Fm3m空间群说明：MgO属于面心立方点阵。假设点阵参数为，那么在O原子占据格点FCC晶胞中格点阵位置，Mg原子处于体心和各条棱的中点。110面的面积为，而110面上的Mg原子数为，因此面密度为。同理，111面的面积为，原子数为[ 111面由（1/2,0,1）、（0,1/2,1）、（1,1/2,0）、（1/2,1,0）四个Mg原子围成]，因此面密度为。所以，111面上的Mg的原子面密度更大。Jieda2 F：面心。m3m为立方晶系。故为面心立方结构。其中氧原子较大，占据面心立方点阵位置，Mg2+离子位于所有八面体间隙中。在110面上，面积，有Mg2+离子2个在111面上，面积，有Mg2+离子2个。相同离子数，111面的面积小，故在111面上Mg的原子面密度大立方，四方，六方的特征对称元素。解答：各晶系的特征对称元素如下：立方晶系: 4个立方体对角线方向的三重轴；六方晶系: 惟一高次轴方向有六重轴或六重反轴，即有一个6次对称轴或者6次倒转轴；三方晶系: 惟一高次轴方向有三重轴或三重反轴；四方晶系,惟一高次轴方向有四重轴或四重反轴；正交晶系:三个互相垂直的二重轴或二重反轴；单斜晶系:只在一个轴方向存在二重轴或二重反轴；三斜晶系:只存在一重轴或一重反轴。3、-42m是否有压电性，有的话有几个独立分量。 解答： -42m点群属于四方晶系，而四方晶系的主轴、二次轴、三次轴的方向分别为：[001]、[100]、[110]。因此a)，由2∥[100], 则有，，，那么所有含有偶数个下标为1的分量=0；只保留下标组合：111，1+2+2，1+3+3，1+2+3b)，由m⊥[110]，则有 ，，，那么结合条件a)，那么所有含有偶数个下标为2的分量=0；只保留下标组合：222，1+1+2，2+3+3，1+2+3因此，结合a）和b），只保留下标组合：1+2+3，即(123，132)，(213，231)和(312，321)。c)，由-4∥[001]，则有，， ，所以-42m有压电性，独立变量有两个，其压电常数矩阵为：SnO（2-x）如何增加或降低电导。解答：由于SnO（2-x）属于缺阴离子型，其缺陷反应为：，因此SnO（2-x）于n型半导体，电子导电。那么，反应的平衡常数表示为]，“[]”表示浓度，又因为因此，，所以所以我们可以通过改变氧分压来控制SnO（2-x）中的氧空位或电子浓度，来改变电导率。氧分压升高，电子浓度减小，电导率降低；氧分压降低，电子浓度增大，电导率升高。5、材料A介电常数5，材料B介电常数为200，如何设计复合材料使得介电常数尽可能的大。（各向同性和各向异性的）a) 对于1-3或2-2型的两相复合材料，在界面没有异常情况下，介电常数的平均值由混合法则得出一个范围。上限由并联法则确定，下限由串联法则确定。并联法则：，串联法则：，以及所以由并联法则确定的上界限表示为：那么，（1）（是材料B的体积分数）b)对于0-3型的两相复合材料，初始公式如下，分三种情况讨论进行讨论。当填充颗粒为纤维或晶须时, L11=L22=0.5, L33=0, 公式化为：那么（2）2）当填充颗粒为薄片时，L11=L22=0, L33=1，公式化为：那么（3）当填充颗粒近似为球时，L11=L22=L33=1/3。（适用M-G 公式）： 那么（4）不管取（0，1）内的哪个值，都是（1）式的介电常数最大。因此材料应设计如下图:2006（已有答案）晶系与Bravais点阵的关系。按照等6个点阵参数之间的关系和特点，可以将晶体归于7中晶系（按它的对称性来划分的）。由7种晶系出发，每一种晶系包括4种点