第五章半导体存储器及其应用.pptVIP

第8章 MCS-51存储器的扩展 单片机最小系统 扩展使用的三总线 地址总线：P0－低8位 P2－高8位 数据总线：P0 控制总线：RD、WR、 ALE、 PSEN （ 读、 写、 地址锁存允许、 外程序存储器读选通） 8.1 随机读写存储器RAM的扩展8.1.1 RAM 8.1.2 SRAM的引脚 存储器与微型机三总线的连接： 8.1.4 地址锁存器的原理 地址锁存器芯片 8.1.5 62128与MCS51的连接 8.2 只读存储器ROM的扩展 工作时，ROM中的信息只能读出，要用特殊方式写入(固化信息)，失电后可保持信息不丢失。 1) 掩膜ROM：不可改写ROM 由生产芯片的厂家固化信息。在最后一道工序用掩膜工艺写入信息，用户只可读。 2) PROM：可编程ROM 用户可进行一次编程。存储单元电路由熔丝相连，当加入写脉冲，某些存储单元熔丝熔断，信息永久写入，不可再次改写。 3)EPROM：可光擦除PROM 用户可以多次编程。编程加写脉冲后，某些存储单元的PN结表面形成浮动栅，阻挡通路，实现信息写入。用紫外线照射可驱散浮动栅，原有信息全部擦除，便可再次改写。 4.EEPROM：可电擦除PROM 既可全片擦除也可字节擦除，可在线擦除信息