n阱cmos工艺概要.pptVIP

xo=1.178μm＞1.154μm，掩蔽膜符合要求。 N阱CMOS芯片的设计 微电 任务：n阱CMOS芯片制作工艺设计 1、MOS管的器件特性参数设计计算； 2、n阱CMOS芯片制作的工艺实施方案（包括工艺流程、方法、条件、结果；分析光刻工艺，画出整套光刻版示意图）； 3、薄膜加工工艺参数计算：分析、设计实现场氧化、栅氧化、多晶硅栅层或掩蔽氧化膜等的工艺方法和工艺条件(给出具体温度、时间或流量、速度等)，并进行结深或掩蔽有效性的验证。 一、MOS管的器件特性参数设计计算 漏极饱和电流IDsat W/L≥4.2349 1.NMOS管参数设计 IDsat≥1mA W/L≥12.8924 跨导gm 截止频率fmax L≤3.08um L=2um W=26um 漏源击穿电压BVDS L≥1.5um 漏极饱和电流IDsat≥1mA 漏极饱和电压 VDsat ≤3V 跨导gm≥0.5ms 截止频率fmax≥1GHz L=2um W=65um PMOS管参数 同一CMOS上，μn=2.0μp， 所以取Wp=2.5Wn 漏源击穿电压BVDS 1、衬底选择 条件：电阻率50Ω?cm 晶向100 选择衬底其最重要的一个电学性能参数是阈值电压，而阈值电压与半导体表面态（界面态）的密度有极大的关系，所以这里重点需要考虑的问题是如何减小半导体的表面态（界面态）密