pn结击穿电压-第十一次课概要.ppt

§6.5 pn 结的击穿 pn 结的击穿(Breakdown)：当加到反向pn 结上的电压足够高时，pn 结反向饱和电流会突然增大， 此时的电压称反向击穿电压VB。电击穿、热击穿。 pn 结电击穿有两种重要的机制：雪崩倍增和隧道效应。 一、雪崩（avalanche）倍增 pn结在反向偏置下，外加电场的方向和空间电荷区自建电场方向一致，空间电荷区的电场强度将随反向电压的增加而增加。在空间电荷区电场的作用下，空穴将向电源负极移动，电子向电源正极移动； 碰撞电离：当P区的电子向电源正极移动的过程中穿越势垒时，将受到势垒电场的加速。反向电压越高，势垒区中电场越强；若电场足够强，电子获得了足够的动能和原子碰撞，将晶格的共价键破坏，产生一个电子-空穴对， 雪崩倍增：这些新产生的电子-空穴对再从电场中获得动能，进一步产生电子-空穴对。 雪崩击穿特点 1.空间电荷区的xD要有一定宽度；如果空间电荷区太窄（小于一个平均自由程），既使是载流子的能量再高，电离能力再强，不发生碰撞也无法产生雪崩现象。单边突变结的击穿电压主要由低掺杂边的掺杂浓度决定。 2.雪崩击穿电压较高，击穿曲线比较陡直（硬击穿）；一般Ge、Si 器件，雪崩击穿电压在6Eg/q 以上，而且击穿特性较硬（所谓硬击穿）。 3. 雪崩击穿的击穿电压VB 具有正温度系数。随着温度的提高，散射增强，载流子的平均自由运动时间减少，导致动能不易积