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Electrical properties and far infraredoptical conductivity of boron-doped single-walled carbon nanotube films XMLiu, HR Gutierrez and P C Eklund Introduction SWCNTS有很好的光学传输性能和低的表面阻抗，适用于光电领域，而B掺杂可以改变探望的SP2杂化同事不会影响六边二维的原子排布，B掺杂主要有两种方法一种是是合成SWCNTS时直接掺杂，另一种是用B2O3和arcchanshengde SWCNTs混合，在ar和NH3中退化进行掺杂。本文是用一种高温下在溶液中让B2O3均匀分散在SWCNTs表面，高温可以影响碳网的SP2轨道今儿掺杂B，并且用了far-IR来表征B掺杂引起的管内光学导电率的改变以及在改变半导体CNTs的光学性能中B的作用 Experimental detail SWCNTS样品的准备和除杂 SWCNTs用PLV来进行制备获得高透明低缺陷的样品，但这里面会包含一些无定形碳和汗金属催化粒子的石墨层，这回影响其光电性质，因此要除杂 除杂：包括3步，第一步 60℃，在H2O2溶液中回流48小时。第二步加入3mol/lHCL，回流24H，最后用去离子水洗涤干燥，得到P-SWCNTS。 B掺杂SWCNTS 首先将B2O