【2017年整理】半导体物理学.doc

前 言 半导体理论和器件发展史 Bloch 理论 Wilson 固体能带理论 （里程碑） Bardeen, Brattain and Shokley 发明晶体管（锗二极管，点接触型），启动了现代电子技术的革命。 第一台晶体管计算机诞生； 半导体有效质量理论。浅能级、激子、磁能级等理论方法，回旋共振、磁光吸收、自由载流子吸收、激子吸收等实验研究。 集成电路问世；平面工艺和光刻技术引入 Firchrd 公司 诺宜斯（格罗夫）等发明了第一块集成电路，创立Intel 公司。 赝势概念提出，得到大部分半导体较精确的能带结构。 半导体激光器发明。 1965 “摩尔定律”，集成电路集成度和性能：翻一番/18月。 1968 MOS器件发明（低功耗技术）：超高密度、高速存储技术。 光刻技术：紫外、软X射线、电子束、同步辐射光，线条0.08微米，存储密度达20G/cm2。 超晶格概念提出：Esaki（江琦），Tsu（朱兆祥） 半导体表面（超高真空） 第一个超晶格AlGaAs/GaAs制备 人工设计材料 新器件 1980 量子Hall效应 Von Klitzing 标准电阻 1982 分数量子Hall效应 崔琦 前沿 1. 低维系统， 纳米材料，量子点，量子线，介观系统 新器件：量子线激光器（1990）、蓝光激光器（1991 II-VI; 1995 III-V）、子带间远红外线探测器（1987） 2. 电子运动的波动性 Aharonov-Bohm 振荡 电子波的相干振荡，库仑阻塞效应 新器件 3. 单电子效应————单电子晶体管 半导体微腔 光子晶体 半导体材料分类： 1. 元素半导体 IV族： Si、Ge 金刚石结构 Purity 10N9 Impurity concentration 10-12/cm3 Dislocation densities 103/cm3 Size ≥20 inches(50 cm) in diameter V 族： P VI 族： S，Te，Se 2. 二元化合物 III-V族化合物：GaAs系列 闪锌矿结构 GaAs 1.47eV InAs 0.36eV GaP 2.23eV GaSb 0.68eV GaN 3.3eV BN 4.6eV AlN 3.8eV II-VI族化合物 更强的电荷转移 ZnSe 2.67eV CdS 2.59eV ZnS 3.58eV CdTe 1.5eV HgTe 0.025 eV(远红外线探测器) III-VII族化合物 CuCl3eV IV-IV族化合物 红外线探测器 PbS 0.37eV PbTe 0.29eV 3. 氧化物半导体: CuO, CuO2, ZnO, SnO2 高温超导体 4. 有机半导体 （CH2）Schr?dinger equation）： (1) 对于一维情形（只考虑x），且设V=0(势为零)，则时间无关的Schr?dinger equation可写成： (2) 其中E——电子能量；m——电子质量。该方程的解为： (3) 这里 或 (4) 方程（3）代表沿相反方向传播的两列波 ——电子沿＋X方向运动 ——电子沿－X方向运动 但是变量k是什么意思？ K的单位m-1或cm-1 属于倒易空间矢量 对于一维晶体，可以看作标量 电子的动量操作算符（momentum operator） (5) 对在一维样品中考虑沿＋X方向运动的电子，对波函数作用动量算符（操作） (6) 所以操作的本征值为 (7) 可以总结出： 数值k——波数(wave number)，乘以后等于电子的动量。 经典力学中，电子的速度，所以可以得到 (8) 电子能量的表达式与经典力学推导出的表达式相关 (9) 自由电子的能量是动量k的抛物线函数，如图