P阱CMOS芯片制作工艺设计讲解.pptVIP

P阱CMOS芯片制作工艺设计 制作：韩光、黄云龙、 黄文韬 一、MOS管的器件结构参数确定 NMOS管参数设计与计算 PMOS管参数设计与计算 NMOS管参数设计与计算 特性指标要求： n沟多晶硅栅MOSFET：阈值电压VTn=0.5V, 漏极饱和电流IDsat≥1mA, 漏源饱和电压VDsat≤3V，漏源击穿电压BVDS=35V, 栅源击穿电压BVGS≥20V, 跨导gm≥2mS, 截止频率fmax≥3GHz（迁移率μn取600cm2/V·s） NMOS管参数设计与计算 由 得 从而有： NMOS管参数设计与计算 饱和电流： 跨导： 于是取：W/L 13.4 NMOS管参数设计与计算 由截止频率： 知：L 3.1um 由 和经验公式： 知： NMOS管参数设计与计算 又因为阈值电压： 其中： 将 带入以上各式可得： 0.48V 与要求