纳米与薄膜03
材料合成与制备 纳米与薄膜材料制备03Contents1 薄膜和薄膜技术的定义2 薄膜和薄膜技术的重要性3 薄膜的制备方法4 真空蒸发法5 溅射法6 薄膜的生长过程7 薄膜的结构及缺陷8 薄膜厚度及电阻率的测量9 薄膜的性质10 芯片制备工艺简介 LOGO材料合成与制备 4. 真空蒸发法真空蒸发镀膜法: 在真空中(一般10-3Pa以上的真空度),加热放有被蒸发材料(膜材)的加热器,使膜材蒸发,这些蒸发后变成气态的膜材原子(分子)沉积到衬底表面上,被衬底表面原子(分子)所吸附,就在衬底表面形成了薄膜。 一、真空蒸发镀膜设备 真空蒸发镀膜设备主要由真空镀膜室和真空排气系统两大部分组成,如图所示。 薄膜的制备在真空镀膜室中进行。真空排气系统是用来对真空镀膜室进行抽真空的。 二、常用蒸发源的类型 电阻加热蒸发源把要蒸发的材料(膜材)放在电阻加热蒸发源内,利用大电流通过加热器时产生的焦尔热来直接加热膜料使其蒸发。 电阻加热蒸发源是用高熔点金属,例如W(钨)、Mo(钼)、Ta(钽)等做成。通常用于蒸发熔点低于1500℃的金属,如Al、Ag、Au等,以及用于蒸发硫化物、氟化物、某些氧化物。 电阻加热蒸发源特点:结构简单,造价低廉,使用很普遍。由于膜料与蒸发源材料直接接触,从而导致了蒸发源材料会扩散进入膜料成为膜料中的杂质,并随膜料一起被蒸发,最终混入薄膜中。此外,某些膜料
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