第1章电路和电路元件试卷.pptVIP

* 3.晶体管电流放大作用 PNP型与NPN型晶体管使用电源极性相反，电流方向相反。 晶体管中有电子和空穴两种极性载流子参与导电，故称为双极晶体管(BJT)。 1.5.1 基本结构和电流放大作用 UBB UCC IB IC IE B C E N RB RC P N + - + - mA mA mA 即，当基极电流IB有微小变化时，集电极电流IC必定发生较大的变化。 4.晶体管电流放大的条件 内部条件是：基区很薄且杂质浓度低； 外部条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。 UBB UCC IB IC IE B C E P RB RC N P + - + - mA mA mA 注意 * ?A V mA V EC RB iB uCE uBE iC EB RC 即三极管各极电压与电流之间的关系曲线 特性曲线测试电路 1.输入特性曲线 即uCE为一常数时，输入回路中，iB与uBE之间的关系曲线，即 0.8 0.4 0.2 0.6 UCE=0V UCE≥1V uBE/V iB/μA (1)当UCE=0V时，曲线为a (2)当UCE≥1V时，曲线为b a b 即随uCE增大，曲线向右平移；当UCE≥1V后，曲线不再向右移动。 1.5.2 特性曲线和主要参数 可见，输入特性曲线与二极管的正向特性曲线类似；硅管导通电压为0.5V(0.7V)，锗导通电压为0.1V(0.3V)。 80 40 * 由输出特性曲线得 2.输出特性曲线 即iB为一常数时，输出回路中，iC与uCE之间的关系曲线，即 IB=0 uCE/V iC/mA 反映输出回路中电压与电流关系； 每一个IB有一条输出曲线，所以输出是一组曲线； 根据工作状态不同分为三个区，放大区、截止区、饱和区。 20μA 40μA 60μA 80μA 截止区 饱和区 放大区 ?A V mA V EC RB IB UCE UBE IC EB RC 1.5.2 特性曲线和主要参数 * （1）放大区 IB=0 uCE/V iC/mA 发射结正向偏置，集电结反向偏置。 曲线很平坦，几乎平行与横轴。 IC的大小由IB决定，与UCE无关，即IC=βIB，表现三极管的放大作用。 20μA 40μA 60μA 80μA 截止区 饱和区 放大区 B E C 1.5.2 特性曲线和主要参数 （2）截止区 IB=0以下的区域；UBE小于死区电压； IC≈0（IC等于穿透电流ICEO）。 发射结和集电结均处于反向偏置。 集电极和发射极之间相当于开路，即相当于处于断开状态的开关。 IC IB IE UCE + - * IB=0 uCE/V iC/mA 20μA 40μA 60μA 80μA 截止区 饱和区 放大区 （3）饱和区 uCEuBE，发射结和集电结均处于正向偏置；IC不受IB控制，IB变化时，IC基本不变；三极管失去电流放大作用 uCE=uBE时为临界饱和状态， 饱和时，集电极与发射极之间的电压称为饱和压降，用UCES表示，硅管的UCES约为0.3V，锗管的UCES约为0.1V。 饱和时，集电极与发射极之间相当于一个处于接通状态的开关。 1.5.2 特性曲线和主要参数 在放大电路中，晶体管工作在放大区，以实现放大作用。 在开关电路中，晶体管工作在截止区和饱和区，集电极与发射极之间相当于一个由基极控制的开关。 B E C IC IB IE UCE + - * 即：它表征管子的特征、适用范围等；是电路设计、选用的依据。 （1）电流放大系数 a 直流（静态）电流放大系数 集电极电流IC与基极电流IB的比值，即 静态与动态电流放大系数含义不同；估算时可认为相同； 同一晶体管工作点不同， β数值不同，IC特别大或特别小时，β值均较小；在中间区域β较大； 选用时β要适中， β太大，稳定性差； β太小，放大作用差；一般选β=30～100之间较好。 b 交流（动态）电流放大系数β 集电极电流变化量ΔIC与基极电流变化量ΔIB的比值，即 3.主要参数 1.5.2 特性曲线和主要参数 B E C IB IC IE 注意 * （3）集电极最大允许电流ICM 当工作电流超过ICM时，晶体管的β值将明显下降。 （2）穿透电流ICEO 基极开路时，集电极与发射极之间流过的电流，如图 B E C ICEO μA + - EC ICEO其值是衡量管子质量的重要参数 ，越小越好； ICEO随温度的升高而增加； 硅管比锗管的ICEO小2～3个数量级。 （4）集电极最大允许耗散功率PCM 它是集电极消耗的最大功率，超过此值，集电结过热会烧坏。PCM值为： （5）集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大电压。当UCEU(BR)CEO时，ICEO将大幅