功率放大器概要.ppt

例题 一高频谐振功放,已知 求： 例题 (解) 例题 (解) 例题 一高频谐振功放处于临界状态,且已知 求 例题 (解) 例题 (解) 例题 (解) 例题 (解) 例题 已知一高频功放处于临界状态,输出功率为10W，Vcc=12V，半流通角为70度,集电极电压利用系数为0.96，且α1=0.44，α2=0.25 (1)求P=、Pc、ηc、Rp (2)若Vbm增加一倍Po=? 例题 (解) 方法一：从Vcm和Icm1入手 方法二：从ηc入手 （后面的步骤略） 二 高频功放的耦合回路 (2) 滤波器型的匹配网络 丁类（D类）功放简介（了解即可） 晶体管倍频器（了解即可） 三、晶体管基极体电阻rbb?的影响 当频率增高时，已经证明基极电流的基波振值Ib1是迅速增加的，这表明b?–e间呈现的交流阻抗显著减小，因此rbb?的影响便相对增加，要求的激励功率将更大，这会使功率增益进一步减小。 四、饱和压降Vces 大信号注入时，功率管的饱和压降将增大，在高频工作时，集电极体电阻也要提高，致使饱和压降进一步增加。 例如: 当f=30MHz时，实测某管的Vces=1.5V， 当f=200MHz时，Vces则可大到3.5V。 Vces的增加，会使功率放大器的输出功率、效率、功率增益均减少。 * 五、引线电感的影响 在更高