光源和光发送机培训教案.ppt

第三章 光源和光发送机 本章重点 （1）掌握光与物质的相互作用的三种基本过程；构成激光器的必须具备的条件；半导体激光器的工作特性； （2）掌握发光二极管LED的工作特性 （3）光发射机的基本组成及功能 (4)光源的调制方式、调制特性、调制电路 （5）光纤线路码型的种类 本章内容提要 3.0 激光基础知识 3.1 半导体光源 3.2 光源调制 3.3 光发送机 3.0 激光基础知识 光与物质相互作用的三种基本方式 粒子数反转分布 能带 PN结 光与物质相互作用的三种基本方式 自发辐射——无外界激励而高能级电子自发跃迁到低能级，同时释放出光子。 受激辐射——高能级电子受到外来光作用，被迫跃迁到低能级，同时释放出光子，且产生的新光子与外来激励光子同频同方向，为相干光。 受激吸收——低能级电子在外来光作用下吸收光能量而跃迁到高能级。 能级与电子跃迁示意图 粒子数反转分布 设在单位物质中低能级电子数和高能级电子数分别为N1和N2物质在正常状态下N1＞N2，受激吸收与受激辐射的速率分别比例于N1和N2且比例系数相等，此时光通过该物质时，光强会衰减，物质为吸收物质。若N2＞N1，受激吸收小于受激辐射，光通过该物质时，光强会放大，该物质成为激活物质。N2＞N1的分布与正常状态相反，故称为粒子数反转分布。 半导体的能带理论 1、晶体的能带 晶体的能谱在原子能级的基础上按共有化运动的不同而分裂成若干组。每组中能级彼此靠得很近，组成有一定宽度的带，称为能带。内层电子态之间的交叠小，原子间影响弱，分成的能带比较窄，外层电子态之间的交叠大，分成的能带比较宽。 2 在半导体中的能带： 　价带（valence band）:形成共价键的价电子所占据的能带称为价带。较低的能量 　满带：价带下面的能带是被电子占满了，称为满带。 导带（conduction band）:价带上面邻近的空带（自由电子占据的能带）称为导带。 　导带和价带通过禁带（energy gap）来分开，电子可以在价带或者导带所对应的轨道上活动，但决不能在它们之间－－禁带上活动。 　一旦有外加能量，它们中的某些将获得足够的能量来跃过禁带，占据导带的能级。我们称这些电子是“受激的”。 3 费米－狄拉克统计 电子是费米子(自旋量子数为1/2)，符合泡里不相容原理。电子在各能级中的分布，服从费米－狄拉克统计。 费米能级不是一个可以被电子占据的实在的能级，它是反映电子在各能级中分布情况的参量，具有能级的量纲。 4、各种半导体中电子的统计分布 根据费米分布规律，可以画出各种半导体中电子的统计分布。如图所示 光辐射与能带 本征材料和非本征材料 本征材料：不含杂质的理想材料，因为晶体中原子的热运动，价带中的某些电子可以获得足够的能量而激励到导带，同时在价带中留下一个空穴。 非本征材料：向晶体中掺微量的V族或 III族元素，（如P,As,Sb）可使晶体的导电性能大为增加，掺杂后的半导体称为非本征半导体材料。 N型材料和P型半导体 N型半导体：如果掺入的是V族元素，在核外电子有　5个，其中四个与Si形成共价键，余下一个电子可以用来传导电流，由于这种材料是由电子来导电的称为N型材料。 P型半导体：如果掺入的是III族元素，在核外电子有　3个，其中三个与Si形成共价键，余下一个空穴用来传导电流，由于这种材料是由空穴流动来导电的称为P型材料 多数载流子与少数载流子 多数载流子：浓度高的载流子，N型材料中的电子或P型材料中的空穴。 少数载流子：浓度低的低流子，N型材料中的空穴或P型材料中的电子。 p-n结的形成 　当P型半导体和N型半导体形成PN结时，载流子的浓度差引起扩散运动，P区的空穴向N区扩散，剩下带负电的电离受主，从而在靠近PN结界面的区域形成一个带负电的区域。同样，N区的电子向P区扩散，剩下带正电的电离施主，从而造成一个带正电的区域。载流子扩散运动的结果形成了一个空间电荷区，称为PN结。 　 1、PN结具有单向导电性 当PN结加上正向电压时，外加电压的电场方向消弱了自建场，P区的空穴通过PN结流向N区，N区的电子也流向P区，形成正向电流。由于P区的空穴和N区的电子都很多，所以这股正向电流是大电流。 当PN结加反向电压时，外电场的方向和自建场相同，多数载流子将背离PN结的交界面移动，使空间电荷区变宽。空间电荷区内电子和空穴都很少，它变成高阻层，因而反向电流非常小。 2PN结的能带 3增益区的形成 对于兼并型P型半导体和兼并型N型半导体形成的PN结，当注入电流(或正向电压)加大到某一值后，准费米能级EfC和EfV的能量间隔大于禁带宽度， PN结里出现一个增益区(也叫有源区)。 实现了粒子数反转。这个区