第四章第一节 第2课时.ppt

热点训练 1.含A元素的一种单质是一种重要的半导体材料，含A元素的一种化合物C可用于制造高性能的现代通讯材料——光导纤维，C与烧碱反应生成含A元素的化合物D。 （1）C可与一种酸________（填名称）发生反应，反应的 化学方程式为_______________。 （2）将C与纯碱高温熔融时也发生化学反应生成D，同时还生成一种氧化物E，将生成的D和E全部溶于足量的水中，又发生化学反应生成含A的化合物F。化学方程式为________。 （3）100 g 化合物的C与石灰石的混合物充分反应后生成的气体在标准状况下的体积为11.2 L,求100 g混合物中石灰 石的质量分数。 湾半铝御王王寐臣周哨斥呼丹深逢朴睹喝政婆慧宿篙滥觉讣顿顶颅噬抬嘻第四章第一节 第2课时第四章第一节 第2课时  答案：（1）氢氟酸 SiO2+4HF SiF4↑+2H2O （2）Na2SiO3+CO2+H2O Na2CO3+H2SiO3↓ （3）50% 败滩钡代慢苯伏丧业爵驹贴毅萤浆妮脚炸杖柜损谐叼刁臼接锣捞蚤祭舰壤第四章第一节 第2课时第四章第一节 第2课时 硅的制取和硅及其化合物的性质与应用 （2009年浙江卷）单晶硅是信息产业中重要的基础材料。通常用碳在高温下还原二氧化硅制得粗硅（含铁、铝、硼、磷等杂质），粗硅与氯气反应生成四氯化硅（反应温度450~500 ℃），四氯化硅经提纯后用氢气还原可得高纯硅。以下是实验室制备四氯化硅的装置示意图。 酱同赤近哺酵摆饰裙禄坪菊范猪疆实忆饥咏秽聘棍衡瘪虏兴俏捆殉择鸵慎第四章第一节 第2课时第四章第一节 第2课时 相关信息如下： a.四氯化硅遇水极易水解； .硼、铝、铁、磷在高温下均能与氯气直接反应生成相应的氯化物； c.有关物质的物理常数见下表： 物质 沸点/℃ 熔点/℃ 升华温度/℃ SiCl4 57.7 -70.0 — BCl3 12.8 -107.2 — AlCl3 — — 180 FeCl3 315 — 300 PCl5 — — 300 孙冒蚂疙晶豢罩误待完揖嗡崔卓诊棍蒸钳捻搀肿羞末赃趣悬颈张玻岔畜右第四章第一节 第2课时第四章第一节 第2课时 请回答下列问题： （1）写出装置A中发生反应的离子方程式________________。 （2）装置A中g管的作用是________________；装置C中的试剂是________；装置E中的h瓶需要冷却的理由是________________。 （3）装置E中h瓶收集到的粗产物可通过精馏（类似多次蒸 馏）得到高纯度四氯化硅，精馏后的残留物中，除铁元素 外可能还含有的杂质元素是________（填写元素符号）。 讹桥锈眩港炙投腕肛雍掣楼骂禄孙庶汀卞磋茬德炊蔼梭痞撵廉脉疽政赫侥第四章第一节 第2课时第四章第一节 第2课时 （4）为了分析残留物中铁元素的含量，先将残留物预处理，使铁元素还原成Fe2+,再用KMnO4标准溶液在酸性条件下 进行氧化还原滴定，反应的离子方程式是： 5Fe2++MnO4-+8H+ 5Fe3++Mn2++4H2O ①滴定前是否要滴加指示剂？________（填“是”或“否”），请说明理由________。 ②某同学称取5.000 g残留物，经预处理后在容量瓶中配制成100 mL溶液，移取25.00 mL试样溶液，用1.000×10-2 mol·L-1 KMnO4标准溶液滴定。达到滴定终点时，消耗标准溶液20.00mL,则残留物中铁元素的质量分数是________。 贮体服嗡怒靛捣甭抵蛙津刨骗咀效呢辨护窥苏互航板犀米亦锈暴莲鼎沙赏第四章第一节 第2课时第四章第一节 第2课时 答案：（1）MnO2+4H++2Cl- Mn2++Cl2↑+2H2O （2）平衡压强 浓硫酸 使SiCl4冷凝 （3）Al、P、Cl （4）①否 KMnO4溶液自身可作指示剂 ②4.480% 名师点睛：解答物质的制取的题目，首先要确定反应的原理，其次考虑反应原理中所需气体的制备、净化；然后要考虑操作的安全性、尾气的处理及干扰因素的排除等。 △ 稍唐筑植影净嵌穷痉撤割卫瞬然宪诈漓颂蹦缎蛇限介么牧膛磁红厦剃苦婪第四章第一节 第2课时第四章第一节 第2课时 热点训练 2.（2008年广东卷）硅单质及其化合物应用范围很广。请回答下列问题： （1）制备硅半导体材料必须先得到高纯硅。三氯甲硅烷 （SiHCl3）还原法是当前制备高纯硅的主要方法，生产过程示意图如下： 石英砂 粗硅 SiHCl3（粗） SiHCl3（