半导体器件物理2概要.ppt

* 第一章 PN 结 §1.1 热平衡 PN 结 1.PN 结的形成和杂质分布 将同种半导体材料的 N 型和 P 型两部分紧密结合在一起，在二者的交界处形成一个结，称为 PN 结。 为使性能优越，通常在一块 N 型（或 P 型）半导体单晶上，采用合金法、扩散法、外延生长法和离子注入法等把 P 型（或 N 型）杂质掺入其中，使这块单晶的不同区域分别具有N 型和 P 型的带电类型，在两者的交界面处就形成了 PN 结。 ① 制备过程 （1）合金法及其杂质分布 下图表示用合金法制造 PN 结的过程。把一小颗粒铟（In，Ⅲ族元素）放在 N 型锗单晶片上，加热到一定的温度，形成铟锗共熔体，然后降低温度，在降温过程中，锗便从共熔体中析出，沿着锗片的晶向再结晶。在再结晶的锗区中，将含有大量的 P 型杂质铟，使该区变成 P 区，从而形成了 PN 结。 ② 杂质分布 杂质分布特点： P 区中受主杂质浓度为 ，而且均匀分布；N 区中施主杂质浓度为 ，也是均匀分布的。 在两种杂质的交界面处，杂质浓度由 （P 型）突变为 （N 型），具有这种杂质分布的 PN 结称为突变结。 合金法制备 PN 结的杂质分布 设 PN 结的位置在 ，则突变结的杂质分布可以表示为 时， 时， 实际的突变结，两边的杂质浓度相差很多（例如 N 区的施主杂质浓度为