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双极型晶体管 双极型晶体管 晶体管的基本结构和分类 双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 双极型晶体管 晶体管的制造工艺和杂质分布 双极型晶体管 均匀基区晶体管和缓变基区晶体管 均匀基区晶体管的基区杂质是均匀分布的，载流子在基区内的传输主要靠扩散机理进行，又称扩散型晶体管。 缓变基区晶体管的基区杂质是缓变的，载流子在基区内的传输除了靠扩散运动外，还存在漂移运动且往往以漂移运动为主，又称漂移型晶体管。 双极型晶体管 晶体管的电流放大原理 假设条件： ① 发射区与集电区宽度远大于少子扩散长度，基区宽度远小于少子扩散长度。 ② 发射区与集电区电阻率足够低，外加电压全部降落在势垒区，势垒区外无电场。 ③ 发射结和集电结空间电荷区宽度远小于少子扩散长度，且不存在载流子的产生与复合。 ④ 各区杂质均匀分布，不考虑表面的影响，且载流子仅做一维传输。 ⑤ 小注入，即注入的非平衡少子浓度远小于多子浓度。 ⑥ 发射结和集电结为理想突变结，且面积相等。 双极型晶体管 平衡晶体管的能带和载流子的分布 双极型晶体管 非平衡晶体管的能带和载流子的分布 双极型晶体管 晶体管载流子的传输 双极型晶体管 晶体管载流子的传输 ⑴ 发射结正向偏置—发射电子 ⑵ 载流子在基区的