材料科学基础复习.docVIP

材料科学基础复习 第一章 材料科学与工程 1.金属是电的良好导体，强度高和较致密，可以形成复杂的形状，当经受高速冲击力时有抵抗脆性断裂的能力。这些性能使金属在导电和结构应用上成为最重要的材料类别之一。金属在强度和韧性（断裂抗力）两方面具有优异的综合性能。 2.普通的陶瓷包括：沙.砖块和泥灰.窗玻璃和石墨 3.陶瓷通常由金属和非金属原子组成。很多陶瓷是晶体，不是晶体的常见例子是窗玻璃（主要由SiO2组成）。陶瓷中中非金属元素通常是氧。陶瓷倾向于以脆性形式断裂，而不是以弯曲来缓解外力。 陶瓷的优点：高温稳定性，抗化学腐蚀性，不吸收外来物质。 陶瓷中的离子键和共价键很强。 4.聚合物大部分是共价键合，但链之间以比较弱的二次键互相键合，因此强度较低。聚合物一般不能应用于高温条件，因为在中等温度下倾向于软化。价格低廉，密度低，易于加工成复杂形状。 5.复合材料是由两种或多种材料结合在一起而产生一种新的材料，这种材料的性能用传统方法是不能得到的。例如：胶合板，混凝土和钢束轮胎。 6.主要的半导体材料是共价键结合的元素硅和锗以及一系列共价键化合物，半导体是陶瓷的一小类。 第二章 原子尺度的结构 1.阿累尼乌斯过程（热激活过程）遵循的公式： 反应速率=Cexp(-Q/RT) C为常数，R为气体常数，T为热力学温度，Q为过程的激活能 R总是具有相同的值，而C和激活能Q却随反应变化而变化 2.一次键通常比二次键强一个数量级以上 一次键的3个主要类型：离子键，共价键，金属键 二次键的2个类型：氢键（最强的二次键），范德瓦尔键 3.离子键：包含正电性和负电性两种元素的化合物最通常的键类型 4.配位数：每个原子周围最邻近的数目 5.确定半径比值与所得配位数的关系的限定条件： （1）正离子与负离子相接触 （2）给定正离子周围的负离子数目在几何上尽可能高 （3）同性的例子不能相互重叠 表：每个配位数的临界（r/R）比值（P34） 6.离子材料的配位数（CN）有几何构型决定，共价键材料的配位数由每个原子的价电层中的电子数决定，金属固体中原子的配位数主要是由几何条件决定 7.二次键与一次键的根本区别：二次键既不涉及电子的转移，也不涉及电子的公用 8.交联：通过未饱和双键而形成的一次键 9．橡胶老化的原因：硫化橡胶的交联程度并不大，仍然存在大量的未饱和键，因此当大气中的硫或氧侵蚀使用中的硫化橡胶时就会变脆和开裂 第三章 晶体结构 1.晶体：以基本的积木块按一定间隔重复、规则排列方式结晶的材料 2.短程有序（SRO）：在一个中心原子周围最近邻原子的局部排列 长程有序（LRO）：材料在比键长大得多的距离呈现有序 3.点阵：点的无限延伸的排列，其中每一点被相同类型的临点所包围 4.基元：处在一个点阵的物质群 5.线密度：沿一个方向单位长度上相同点真的数目 面密度：所关心的面的单位面积上的原子数。只考虑其中心在面上的原子，并且对于公用的权重因子以面积分数给出 体密度：单位体积中的原子数 6．最密排方向：在任何晶系中具有最高ρL的方向 密排面：在任何晶系中具有的密度ρp=1/(2√3r∧2)的面都归结为密排面 最高密度面：任一晶系中具有最大ρp的晶面。所以，对于任意晶系都有最高密度面却不一定有密排面 所有的密排面都是最高密度面，但并不是所有最高密度面都是密排面 附：在BCC，FCC，HCP晶体结构中密排方向及最高密度面表格（P64） 7.原子堆垛因子（致密度APF）：在晶体结构中原子占据的体积与可利用的总体积的比率 第四章 点缺陷与扩散 1.空位：缺少原子的位置 2.间隙原子：出现在通常不会被占据的位置的原子 3.空位或间隙原子都属于点缺陷，点缺陷会通过增加应变能而增加晶体的内能，因此在能量上是不稳定的 4.空位浓度与热力学温度的关系： （Nv为T下的空位数；NT为点阵位置总数，Qfv为空位形成激活能） 空位浓度计算式： （CV无量纲） 弗兰克尔缺陷的浓度计算： （Cv 、Ci 分别为离子晶体中的空位和间隙浓度，Q fvi是形成空位和间隙所需要的能量） D=D0exp（-Q/RT） 第五章 线、面和体缺陷 1.滑移面：晶体上发生变形的面 滑移方向：在滑移面上沿着它发生变形的方向 滑移系：滑移面和滑移方向的组合 2.临界分切应力τCR：使塑性变形开始发生的切应力 获得发生塑性变形必须的临界正应力σc的大小： σc=τCR/(cosφcosθ) （斯密特定律） φ是力与滑移面法线间的夹角，θ是外力F方向与滑移方向间的夹角 3.柏氏回路：顺时针环绕位错所获得的回路 柏氏矢量：一个由回路的终点指向开始点的矢量。它反映出柏氏回路包含的位错所引起点阵畸变的总积累。用柏氏矢量可判断位错的类型柏氏矢量与位