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单项选择题： 第1章 原子结构与键合 高分子材料中的C-H化学键属于 。 （A）氢键 （B）离子键 （C）共价键 属于物理键的是 。 （A）共价键 （B）范德华力 （C）离子键 化学键中通过共用电子对形成的是 。 （A）共价键 （B）离子键 （C）金属键 第2章 固体结构 以下不具有多晶型性的金属是 。 （A）铜 （B）锰 （C）铁 fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是 。 （A）fcc （B）bcc （C）hcp 与过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是 。 （A）氮 （B）碳 （C）硼 面心立方晶体的孪晶面是 。 （A）{112} （B）{110} （C）{111} 以下属于正常价化合物的是 。 （A）Mg2Pb （B）Cu5Sn （C）Fe3C 第3章 晶体缺陷 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为 。 （A）肖特基缺陷 （B）弗仑克尔缺陷 （C）线缺陷 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为 。 （A）肖脱基缺陷 （B）Frank缺陷 （C）堆垛层错 刃型位错的滑移方向与位错线之间的几何关系是？ （A）垂直 （B）平行 （C）交叉 能进行攀移的位错必然是 。 （A）刃型位错 （B）螺型位错 （C）混合位错 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是 （A）孪晶铜 （B）中碳钢 （C）亚共晶铝硅合金 大角度晶界具有____________个自由度。 （A）3 （B）4 （C）5 第4章 固体中原子及分子的运动 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随 变化。 （A）距离 （B）时间 （C）温度 在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为 。 （A）原子互换机制 （B）间隙机制 （C）空位机制 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是 （A）间隙机制 （B）空位机制 （C）交换机制 原子扩散的驱动力是 。 （4.2非授课内容） （A）组元的浓度梯度 （B）组元的化学势梯度 （C）温度梯度 A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，测得界面向A试样方向移动，则 。 （A）A组元的扩散速率大于B组元 （B）B组元的扩散速率大于A组元 （C）A、B两组元的扩散速率相同 下述有关自扩散的描述中正确的为 。 （A）自扩散系数由浓度梯度引起 （B）自扩散又称为化学扩散 （C）自扩散系数随温度升高而增加 第5章 材料的形变和再结晶 在弹性极限(e范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为 （A）包申格效应 （B）弹性后效 （C）弹性滞后 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是 （A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向 （B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向 （C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向 bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中，_________具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。 （A）bcc （B）fcc （C）hcp ，位错滑移的派-纳力越小。 （A）位错宽度越大 （B）滑移方向上的原子间距越大 （C）相邻位错的距离越大 Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是： （A）溶质原子再扩散到位错周围 （B）位错增殖的结果 （C） 位错密度降低的结果 已知Cu的Tm=1083(C，则Cu的最低再结晶温度约为 。 （A）200(C （B）270(C （C）350(C 已知Fe的Tm=1538(C，则Fe的最低再结晶温度约为 。 （A）350(C （B）450(C （C）550(C 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的______________阶段。 （A）回复 （B）再结晶 （C）晶粒长大 形变后的材料再升温时发生回复与再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在 。 （A）回复阶段 （B）再结晶阶段 （C）晶粒长大阶