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第二章 半导体二极管 一.半导体的基础知识 1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。 2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。 3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。 4. 两种载流子 ----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。 5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。体现的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体: 在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。 6. 杂质半导体的特性 　*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。 　*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。 7. PN结 * PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。 * PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性 二. 半导体二极管 *单向导电性------正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性----同ＰＮ结。 *正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。 *死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。 3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低: 若 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路); 若 V阳 V阴( 反偏 )，二极管截止(开路)。 例题: 习题2-4 稳压二极管及其稳压电路 *稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。稳压二极管的特点就是击穿后，其两端的电压基本保持不变。 这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。 例题:2-5,R的作用是限流电阻,限制二极管流过的电流 习题2-6,2-7,2-8 第三章 三极管及其基本放大电路 一. 三极管的结构、类型及特点 1.类型---分为NPN和PNP两种。 2.特点---基区很薄，且掺杂浓度最低；发射区掺杂浓度很高，与基区接触面积较小；集电区掺杂浓度较高，与基区接触面积较大。 二. 三极管的工作原理 1. 三极管的三种基本组态 2. 三极管内各极电流的分配 * 共发射极电流放大系数 (表明三极管是电流控制器件 式子 称为穿透电流。 三极管极间的电流关系为： IE =IC+IB 3. 共射电路的特性曲线 *输入特性曲线---同二极管。 * 输出特性曲线 饱和区---发射结正偏，集电结正偏(饱和管压降，用UCES表示) 放大区---发射结正偏，集电结反偏。 截止区---发射结反偏，集电结反偏。 三. 基本放大电路组成及其原则 1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、C1、C2的作用。 三 极 管T——起放大作用 负载电阻RC 、RL——将变化的集电极电流转换为电压输出。 偏置电路EC、Rb——使三极管有一个合适的静态工作点，从而工作在线性放大区。 耦合电容C1 、C2——隔直，通交。 2.组成原则----能放大、不失真、能传输。 四. 放大电路的解析分析法 1. 直流通路与静态分析 *概念---直流电流通的回路。 *画法---电容视为开路。 *作用---确定静态工作点 Si管：UBEQ=0.6V~0.7V Ge管:UBEQ=0.2V~0.3V 2. 交流通路与动态分析 *概念---交流电流流通的回路 *画法---电容视为短路,理想直流电压源视为短路。 *作用---分析信号被放大的过程。 3. 静态工作点与非线性失真 （1）截止失真 *产生原因---Q点设置过低 *失真现象---NPN管削顶，PNP管削底。 *消除方法---减小Rb，提高Q。 （2） 饱和失真 *产生原因---Q点设置过高 *失真现象---NPN管削底，PNP管削顶。 *消除方法---增大Rb、减小Rc、增大VCC 。 五. 低频小信号等效模型（简化） hie---输出端交流短路时的输入电阻， hfe---输出端交流短路时的正向电流传输比，常用β表示； 六. 放大电路的等效电路法 静态分析 （1）静态工作点的近似估算 （2）Q点在放大区的条件 欲使Q点不进入饱和区，应满足RB＞βRc 。 放大电路的动态分析 * 放大倍数 * 输入电阻 * 输出电阻 分压式稳定工作点 共射偏置电路 1．静态分析 2．动态分析 (1)若没有旁路电容 *电压放大倍数