第1章常用半导体器件例析.pptVIP

三、FET的工作状态 夹断区 N沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) P沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) 恒流区 N沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) P沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) 可变 电阻区 N沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) P沟道：uGS UGS(th) (UGS(off)) , uGDUGS(th)(UGS(off)) 范例分析一 已知FET的┃UGS(th)┃、┃UGS(off)┃均为1V,它们各工作于什 么区？ 恒流区 可变电阻区 夹断区 可变电阻区 N-耗尽型 N-增强型 P-增强型 P-耗尽型 范例分析二 UGS(off)=5V, IDSS = -3mA UGS＝VGG＝2V UGS(off)＝5V ID＝IDSS（1- UGS / UGS(off)）2 ＝-1.08mA UDS＝VDD -(- ID )RD＝-6.4V UGD＝UGS -UDS＝8.4V UGS(off) P-JFET