半导体CMP工艺介绍专用课件.ppt

FY Chang/CMP Introduction of CMP 化学机械抛光制程简介 （Chemical Mechanical Polishing-CMP) 目录 CMP的发展史 CMP简介 为什么要有CMP制程 CMP的应用 CMP的耗材 CMP Mirra-Mesa 机台简况 CMP 发展史 1983: CMP制程由IBM发明。 1986: 氧化硅CMP （Oxide-CMP）开始试行。 1988: 金属钨CMP（W CMP）试行。 1992: CMP 开始出现在 SIA Roadmap。 1994: 台湾的半导体生产厂第一次开始将化学机械研磨应用于生产中。 1998: IBM 首次使用铜制程CMP。 CMP制程的全貌简介 CMP 机台的基本构造 (I) CMP 机台的基本构造(II) Mirra 机台概貌 F-Rex200 机台概貌 终点探测图 （STI CMP endpoint profile） 为什么要做化学机械抛光 （Why CMP）? 没有平坦化之前芯片的表面形态 没有平坦化情况下的PHOTO 各种不同的平坦化状况 Step Height（高低落差） Local Planarity（局部平坦化过程） 初始形貌对平坦化的影响 CMP 制程的应用 前段制程中的应用 Shallow trench isolation (STI-CMP) 后段制程中的应用 Pre-meal dielectric planarization (ILD-CMP) Inter-metal dielectric planarization (IMD-CMP) Contact/Via formation (W-CMP) Dual Damascene (Cu-CMP) 另外还有Poly-CMP, RGPO-CMP等。 什么是STI CMP? 所谓STI（Shallow Trench Isolation），即浅沟槽隔离技术，它的作用是用氧化层来隔开各个门电路（GATE），使各门电路之间互不导通。STI CMP主要就是将wafer表面的氧化层磨平，最后停在SIN上面。 STI CMP的前一站是CVD区，后一站是WET区。 ROUGH POLY CMP 流程-2b CMP耗材 CMP Mirra-Mesa 机台简况 * Introduction of CMP Introduction of CMP Introduction of CMP 压力pressure 平台Platform 研磨垫Pad 芯片Wafer 研磨液Slurry Wafer carrier 终点探测 Endpoint Detection 钻石整理器 Diamond Conditioner Introduction of CMP Introduction of CMP Silicon wafer Diamond disk Introduction of CMP Teres 机台概貌 Introduction of CMP 线性平坦化技术 Introduction of CMP Introduction of CMP Teres 研磨均匀性(Non-uniformity) 的气流控制法 研磨皮带上的气孔设计(Air-belt design) Introduction of CMP Introduction of CMP 光学 摩擦电流 Introduction of CMP Introduction of CMP Isolation 0.4 um 0.5 um IMD M2 M2 M1 M1 1.2 um 0.7 um 0.3 um 1.0 um 2.2 um Introduction of CMP Introduction of CMP 没有平坦化之前 平滑化 局部平坦化 全面平坦化 平坦化程度比较 CMP Resist Etch Back BPSG Reflow SOG SACVD,Dep/Etch HDP, ECR 0.1 1 10 100 1000 10000 (Gap fill) Local Global 平坦化 范围 (微米) Introduction of CMP 高低落差越来越小 H0= step height 局部平坦化：高低落差消失 Introduction of CMP A B C A C B RR Time Introduction of CMP CMP 制程的应用 Introduction of CMP STI Oxide CMP STI STI Oxide SIN STI STI SIN CMP 前 CMP 后 所谓Oxide CMP包括ILD(Inter-level Dielectric)CM