半导体中载流子的统计分布演示文件修改版.pptVIP

热平衡状态： 没有外界影响(如电压、电场、磁场或温度梯度)作用在半导体上的状态。 本征半导体： 没有杂质原子和缺陷的纯净晶体。 载流子： 能够参与导电，荷载电流的粒子。电子、空穴。 本征半导体中究竟有多少电子和空穴？ 每个允许的能量状态在k空间中与由整数组（nx，ny，nz）决定的一个代表点（ kx，ky，kZ ）相对应 3.1.2 状态密度函数 能带中能量E附近每单位能量间隔内的量子态数。 3.2 统计力学 在一定温度下，半导体中的大量电子不停地作无规则热运动，从一个电子来看，它所具有的能量时大时小，经常变化。但是，从大量电子的整体来看，在热平衡状态下，电子按能量大小具有一定的统计分布规律性，即电子在不同能量的量子态上统计分布几率是一定的。 3.2 统计力学 粒子在有效能态中的分布：三种分布法则 麦克斯韦-玻尔兹曼分布函数。 认为分布中的粒子可以被一一区分，且对每个能态所容纳的粒子数没有限制。 玻色-爱因斯坦分布函数 认为分布中的粒子不可区分，每个能态所容纳的粒子数没有限制。 费米-狄拉克分布函数 认为分布中的粒子不可区分，且每个能态只允许一个粒子存在。 3.2 统计力学——1 费米分布函数 热平衡条件下半导体中电子按能量大小服从一定的统计分布规律。能量为E的一个量子态被一个电子占据的几率为 据上式，能量比EF高5kT的量子态被电子占据的几率仅为0.7%；而能量比EF低5kT的量子态被电子占据的几率高达99.3%。 费米概率函数 理想情况，能量小于EF的能级被电子占据的概率为１ 费米能级ＥF 有一定温度时 T0 费米能级ＥF 2 玻尔兹曼分布函数 费米能级 例：四个电子处于宽度为a=10埃的一维无限深势阱中，假设质量为自由电子质量，求T=0K时的费米能级. 3 半导体中载流子 电子空穴的平衡分布 导带电子浓度与价带空穴浓度 要计算半导体中的导带电子浓度，必须先要知道导带中能量间隔内有多少个量子态。 又因为这些量子态上并不是全部被电子占据，因此还要知道能量为E的量子态被电子占据的几率是多少。 将两者相乘后除以体积就得到区间的电子浓度，然后再由导带底至导带顶积分就得到了导带的电子浓度。 半导体中载流子　电子空穴的平衡分布 假设电子空穴有效质量相等，则EF位于禁带中线 半导体中载流子 n0 p0的方程 热平衡时的电子浓度n0 半导体中载流子 n0 p0的方程 半导体中载流子 n0 p0的方程 半导体中载流子 n0 p0的方程 平衡态半导体导带电子浓度n0和价带空穴浓度p0与温度和费米能级EF的位置有关。其中温度的影响不仅反映在Nc和Nv均正比于T3/2上，影响更大的是指数项； 3.3 本征半导体载流子浓度 3.3 本征半导体载流子浓度 任何平衡态半导体载流子浓度积n0p0 等于本征载流子浓度ni2。 对确定的半导体材料，受式中Nc和Nv、尤其是指数项exp(-Eg/kT) 的影响，本征载流子浓度ni随温度的升高显著上升。 平衡态半导体n0p0积与EF无关； 对确定半导体，mn*、mp*和Eg确定，n0p0积只与温度有关，与是否掺杂及杂质多少无关； 一定温度下，材料不同则 mn*、mp*和Eg各不相同，其n0p0积也不相同。 温度一定时，对确定的非简并半导体n0p0积恒定； 公认值会与上式计算得到的ni值有一定误差： 有效质量为低温下进行的回旋共振实验测定值，此参数可能与温度有关； 状态密度函数由理论推导得到，有可能与实验结果不十分吻合。 3.3 本征半导体载流子浓度 与温度关系很大： 温升１５０度时，浓度增大４个数量级。 3.3 本征半导体载流子浓度 本征费米能级位置 练习 1）两块半导体材料A，B除了禁带宽度不同，其他参数完全相同。Eg(A)=1eV,Eg(B)=1.2eV. 求T=300K时两种材料的ni比值。 2）假设某种半导体材料的导带状态密度为一个常数C，且假设费米统计分布和玻耳兹曼近似有效。试推导热平衡状态下导带内电子浓度的表达式。 3.4 杂质半导体中载流子浓度 掺入施主杂质的半导体，施主能级Ed位于比导带底Ec低ΔEd的禁带中，且ΔEdEg。 对于掺入Ⅲ族元素的半导体，被受主杂质束缚的空穴能量状态(称为受主能级Ea)位于比价带顶Ev低ΔEa的禁带中,ΔEaEg. 3.4非本征半导体电子和空穴的平衡状态分布 3.4 非本征半